SK하이닉스㈜

에스케이하이닉스㈜

SK Hynix㈜

에스케이하이닉스㈜ 또는 SK Hynix㈜는 1983년 현대전자로 설립됐고, 2001년 하이닉스반도체를 거쳐 2012년 최대주주가 SK텔레콤으로 바뀌면서 에스케이하이닉스㈜로 상호를 변경한 SK의 반도체 회사이다.

개요

이천, 청주의 국내 사업장을 포함하여 중국 우시, 충칭 4곳에 생산기지와 전세계 4개의 연구개발법인, 10개의 판매법인을 운영하는 글로벌 기업이다. 모바일과 컴퓨팅 등 각종 IT 기기에 필수적으로 들어가는 디램(DRAM)과 낸드플래시 등 메모리반도체를 중심으로 저소비전력형의 촬상소자(CIS, CMOS Image Sensor)와 같은 시스템반도체 등을 생산하는 기업이다.. 1984년 국내 최초로 16킬로바이트(Kb) 에스램(SRAM)을 시험 생산한 이래, 세계 최초-최소-최고속-최저전압의 혁신적인 반도체 제품을 시장에 선보이며 30여 년간의 축적된 반도체 생산운영 노하우를 바탕으로 지속적인 연구개발 및 투자를 통해 기술 및 원가 경쟁력을 확보하고, 세계 반도체 시장을 선도하기 위해 노력하고 있다. 주요 제품 및 서비스는 메모리 반도체(DRAM, NAND Flash, MCP) 및 시스템 반도체(CIS) 반도체이다. 사업개시일은 1983년 2월이며, 본사는 경기도 이천시 부발읍 경충대로 2091에 위치해 있다. 현재 대표이사는 이석희이다.

연혁

• 2020년 10월 : 세계 최초 DDR5 디램(DRAM) 출시, 인텔 낸드 메모리 사업 인수 발표
• 2019년 10월 : ‘글로벌 뉴스룸’ 오픈, 3세대 10나노급(1z) DDR4 디램(DRAM) 개발
• 2018년 11월 : 2세대 10나노급(1Y) 16기가바이트(GB) DDR5 개발, 2세대 10나노급(1Y) DDR4 디램(DRAM) 개발, 세계 최초 CTF 기반 96단 4D 낸드 개발
• 2014년 06월 : 업계 최초 '임금공유제' 도입
• 2013년 11월 : 16나노 낸드플래시 양산 체제 구축
• 2012년 09월 : 20나노급 4기가바이트(GB) 그래픽 DDR3 개발, ‘플래시 디자인 솔루션 센터’ 설립
• 2011년 04월 : 30나노급 2기가바이트(GB) 차세대 DDR4 디램(DRAM) 개발
• 2010년 11월 : 반도체 업계 최초 탄소경영보고서 발간, 국내 기업 ‘기업지배구조’ 1위 선정
• 2009년 12월 : 세계 최초 40나노급 2기가비트 그래픽 DDR5 개발
• 2008년 08월 : 청주 300mm 전용 청주 제3공장 준공, 미국 상계관세 철폐, 세계 최초 16기가바이트(GB) 서버용 모듈 개발
• 2007년 04월 : 업계 최고 수준의 이익률 기록, 청주 300mm 공장 (M11) 착공 , 퓨전메모리 DOC H3 본격양산
• 2006년 10월 : 중국 합작공장 Hynix-ST 준공으로 글로벌 300mm 생산체제 구축
• 2005년 12월 : 세계 최고속, 최대용량 그래픽 메모리 512메가바이트(Mb) GDDR4 디램(DRAM) 개발
• 2004년 08월 : 중국 장쑤성 우시시와 중국 현지공장설립 본계약 체결
• 2002년 06월 : 고성능 정보가전용 256메가바이트(Mb) 에스디램(SDRAM) 최초 출시
• 2001년 12월 : 세계 최고속 그래픽용 128메가바이트(Mb) 이중 데이터율 (DDR,Double Data Rate) 에스디램(SDRAM) 출시
• 2000년 05월 : 전 사업장 환경경영 인증획득, 국내최초로 ADSL시스템 수출
• 1999년 10월 : ㈜현대반도체 흡수합병
• 1998년 11월 : 세계 최고속 128메가바이트(Mb) 에스램(SRAM) 양산
• 1997년 11월 : 세계최초 싱크링크 디램(DRAM) 시제품 개발
• 1996년 02월 : 미국 오레건주 반도체공장 (HSA)착공
• 1995년 10월 : 세계최초 256메가바이트(Mb) 에스램(SRAM) 개발
• 1993년 02월 : 자동차용 위성위치확인시스템(GPS, Global positioning system) 자동항법장치 세계 3번째로 개발
• 1991년 10월 : 국내 최소형, 최경량 휴대용 전화기 시판
• 1989년 01월 : 세계반도체시장 점유율 20위권 진입
• 1988년 12월 : 자동응답전화기 개발
• 1987년 10월 : 카폰 수출 10만대 돌파, 256킬로바이트(Kb) 디램(DRAM) 수출 개시
• 1986년 04월 : 반도체영업본부 발족, 반도체연구소 설립
• 1985년 05월 : 일반 전화기 국내시판 개시, 16킬로바이트(Kb) 에스램(SRAM)/64킬로바이트(Kb) 디램(DRAM) 양산 개시
• 1984년 04월 : 통신기기공장, 정보기기공장 준공
• 1983년 02월 : 현대전자산업주식회사 창립

주요 제품

디램

디램(DRAM, Dynamic random access memory)은 램의 한 종류로 저장된 정보가 시간에 따라 소멸하기 때문에 주기적으로 재생시켜야 하는 특징을 가지고 있다. 구조가 간단해 집적이 용이하므로 대용량 임시기억장치로 사용되는 임의접근기억장치(Random Access Memory)의 한 종류이다.

등록된 모듈(RDIMM, Registered Dual In-line Memory Module)

• 모듈(MODULE) : 총 4가지의 제품으로 구성되어 있다. 첫 번째 제품은 등록된 모듈(RDIMM, Registered Dual In-line Memory Module)로 디(D)램과 시스템 메모리 컨트롤러 사이에 주소와 명령 신호를 위한 레지스터(RCD, Registration Clock Driver)가 추가된 듀얼 인라인 메모리 모듈(DIMM, Dual in-line memory module)이다. x4, x8 디램(DRAM), x4 3DS 스택을 지원하며 서버(Server)와 네트워킹(Networking)에 응용된다. 두 번째는 부하 감소 모듈(LRDIMM, Load Reduced DIMM)은 디큐(DQ) 신호용 디램(DRAM)과 시스템 메모리 컨트롤러 사이의 부하를 줄이기 위해 레지스터(DB, Data Buffer)가 추가된 듀얼 인라인 메모리 모듈(DIMM)이며 x4, x8 디램(DRAM)을 지원하며 등록된 모듈(RDIMM)과 동일하게 서버(Server)와 네트워킹(Networking)에 응용된다. 세 번째, 등록되지 않은 모듈(UDIMM, Unregistered DIMM)은 레지스터 또는 오류 정정 코드(ECC, Error correction code) 패리티가 없는 듀얼 인라인 메모리 모듈(DIMM)이며 x8, x16 디램(DRAM)을 지원하고 컴퓨터(PC, Personal computer)와 네트워킹(Networking)에 응용된다. 마지막으로 작은 윤곽(SODIMM, Small Outline DIMM)은 공간이 제한된 시스템을 위한 소형 듀얼 인라인 메모리 모듈(DIMM)로 x8, x16 디램(DRAM)을 지원하며 등록되지 않은 모듈(UDIMM)와 같이 컴퓨터(PC)와 네트워킹(Networking)에 적용된다.
• 이중 데이터율(DDR, Double Data Rate) : 총 3가지의 제품으로 구성되어 있다. 첫 번째는 이중 데이터율 5(DDR5)은 애플리케이션에 차세대 메모리로, 고성능 낮은 전력 소모량 및 이중 데이터율 4(DDR4)보다 더 나은 회복성에 대한 다양한 기능을 갖춘 제품이다. 밀도는 16기가바이트(Gb)이며, 속도는 4,800-6,400(메가비트)Mbps 이상이고 서버, 네트워킹, 컴퓨터 그리고 소비자들에게 적용된다. 두 번째는 이중 데이터율 4(DDR4)은 대규모 워크로드를 위한 고성능 메모리로 더욱 빠른 속도와 적은 전력으로 더 큰 데이터 볼륨 제공한다. 밀도는 4-16기가바이트(Gb)이며, 속도는 1600-3200(메가비트)Mbps이고 이중 데이터율5(DDR5)와 동일하게 서버, 네트워킹, 컴퓨터 그리고 소비자들에게 적용된다. 마지막으로 이중 데이터율 3(DDR3)로 누출 전류를 제어하는 3차원 트랜지스터로 전력 소비 최소화하고 이중 데이터율2(DDR2)보다 빠른 데이터 전송과 높은 프리페치율로 더욱 강력한 컴퓨터 성능을 지원한다. 밀도는 4기가바이트(Gb)이며 속도는 800-2,133(메가비트)Mbps이고 네트워킹, 소비자, 자동차에 적용된다.
• 모바일용 이중 데이터율(LPDDR, Low Power DDR) : 총 3가지의 제품이 있다. 첫 번째는 모바일용 이중 데이터율 5(LPDDR5)로 주력 스마트폰 및 모든 성능의 집약적인 애플리케이션을 위한 고속 및 저전력 메모리이다. 1.05볼트(V) 저전력 모바일 장치에 대용량 및 성능 제공하며 밀도는 8기가바이트(Gb)/12기가바이트(Gb)이며 속도는 6,400(메가비트)Mbps이고 패키지 유형은 팝형(PoP, Point of presence)/멀티칩패키지형(MCP, Multi Chip Package)/이산형(Discrete)이 있으며 모바일, 컴퓨터, 네트워킹, 소비자, 자동차에 적용된다. 두 번째, 모바일용 이중 데이터율 4X(LPDDR4X)은 저렴한 스마트폰 및 다양한 애플리케이션을 위한 고속 및 저전력 메모리이며. 모바일용 이중 데이터율 4(LPDDR4)에 비해 'IO'전력 절감으로 전력 효율성을 향상시킬 수 있다. 밀도는 4기가바이트(Gb)/16기가바이트(Gb)/24기가바이트(Gb)이며 속도는 3,733-4,266(메가비트)Mbps이고 패키지 유형은 팝형(PoP)/멀티칩 패키지 형(MCP)/이산형(Discrete)이 있다. 앞선 제품과 동일하게 모바일, 컴퓨터, 네트워킹, 소비자, 자동차에 응용된다. 모바일용 이중 데이터율 4X(LPDDR4X)은 소비자 및 네트워킹 장치를 위한 고속 및 저전력 메모리로 지속적인 지원이 필요한 자동차 및 네트워킹 애플리케이션에 적합한 제품이다. 밀도는 4기가바이트(Gb)/8기가바이트(Gb)/16기가바이트(Gb)이며 속도는 3,200-4,266(메가비트)Mbps이고 패키지 유형은 이산형(Discrete)이 있다. 자동차나 네트워킹 뿐 만 아니라 컴퓨터나 소비자에게도 적용되는 제품이다.
• 고대역폭 메모리(HBM, High Bandwidth Memory) : 그 중 고대역폭 메모리 2E(HBM2E)는 실리콘 관통 전극(TSV, Through Silicon Via)을 사용하는 수직 적층 디램(DRAM) 칩의 초당 460기가바이트(GB) 대역폭의 고대역폭 메모리이다. 딥 러닝 가속기 및 인공지능(AI) 시스템에 최적화된 프리미엄 메모리 솔루션이며 8-16기가바이트(GB)의 밀도와 3.2-3.6기가바이트(Gbps) 속도, 패키지 유형은 케쥐에스디형(KGSD)이 있으며 서버, 네트워킹, 소비자, 자동차 등에 적용된다.
• 그래픽 이중 데이터율(GDDR, Graphics DDR) : 그래픽 이중 데이터율(GDDR)은 총 2가지 제품으로, 첫 번째 제품인 그래픽 이중 데이터율 6(GDDR6)은 집약적인 그래픽 데이터 처리에 최적화된 메모리이며 초고속 그래픽 성능을 가지고 있다. 밀도는 8~16기가바이트(GB)이며 속도는 14기가바이트(Gbps)이고 컴퓨터, 소비자, 서버, 네트워킹에 적용된다. 그래픽 이중 데이터율 5(GDDR5)은 집약적인 그래픽 데이터 처리에 최적화된 메모리로 3D 그래픽 집약적인 애플리케이션을 위한 강력한 성능을 가지고 있다. 밀도는 8기가바이트(Gb)이며 속도는 6-8기가바이트(Gbps)이고 컴퓨터, 소비자, 서버, 네트워킹에 적용된다.

에스에스디

에스에스디(SSD, Solid State Drive)는 반도체를 이용하여 정보를 저장하는 장치이다. 하드디스크 드라이브에 비하여 속도가 빠르고 기계적 지연이나 실패율, 발열·소음도 적으며, 소형화·경량화할 수 있는 장점이 있다. 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive)의 영문 머리글자를 딴 약자이다. 하드디스크(HDD)와 비슷하게 동작하면서도 기계적 장치인 하드디스크(HDD)와는 달리 반도체를 이용하여 정보를 저장한다. 에스에스디(SSD)는 기업에서 사용하는 것과 일반 소비자가 사용하는 것으로 나뉜다.

피이8000 시리즈(PE8000 Series)

• 기업용 에스에스디(Enterprise SSD) : 기업용 에스에스디(SSD)는 총 3가지이다. 첫 번째, 피이8000 시리즈(PE8000 Series)는 피씨아이 익스프레스(PCIe, PCI Express) 4세대(Gen4) 엔브이엠(NVMe,NVM Express)으로 성능이 대폭 향상되었고 더욱 강력한 기능 및 폼 팩터 지원이 가능한 제품이다. 인터페이스는 피씨아이 익스프레스(PCIe) 4세대 x4/3세대 x4이고 용량은 읽기 전용인 960-15360기가바이트(GB)와 혼용인 800-6400기가바이트(GB)이며 디더블유피디(DWPD, Drive Writes Per Day)는 1-3이고 서버와 네트워킹에 적용된다. 두 번째인 피이6000 시리즈(PE6000 Series)는 I/O 성능 향상 및 짧고 일관된 대기 시간을 제공하며 대용량 요구 사항에 따라 읽기 집약적인 혼합 사용 워크로드를 위한 최적의 솔루션을 갖추고 있는 제품이다. 인터페이스는 피씨아이 익스프레스(PCIe) 3세대(Gen3) x4이고 용량은 읽기 전문용 960-7,680기가바이트(GB)/복합용 800-6,400기가바이트(GB)가 있고 디더블유피디(DWPD)는 1-3이고 서버와 네트워킹에 적용된다. 마지막으로 세스이5000 시리즈(SE5000 Series)는 4D 낸드(NAND) 및 차세대 컨트롤러를 갖춘 새로운 고속 인터페이스(SATA, Serial ATA) 혼합 사용 워크로드 에스에스디(SSD) 라인업이다. 인터페이스는 고속 인터페이스(SATA) 6.0기가바이트(Gbps)이고 용량은 읽기 전용과 혼합용 모두 480-3840기가바이트(GB)이고 디더블유피디(DWPD)는 1-3이며 서버와 네트워킹에서 이용된다.
• 일반 소비자용 에스에스디(Client SSD) : 컴퓨터(PC)711/비씨(BC)711은 이산형 볼 그리드 배열(BGA, Ball Grid Array)에서 모듈까지 다양한 폼 팩터를 제공하고 클라이언트 장치의 낮은 전력 소비량의 특징을 가지고 있다. 컴퓨터(PC)711의 인터페이스는 피씨아이 익스프레스(PCIe) 3세대 x4이고 컴퓨터(PC)711의 용량은 256-1024기가바이트(GB)이고 비씨(BC)711의 용량은 128-1024기가바이트(GB)이다. 컴퓨터와 서버에서 응용되어 사용된다.

낸드 저장소

유에프에스 2.2/3.1(UFS 2.2/3.1)

• 유에프에스(UFS) : 유에프에스(UFS) 2.2/3.1은 V6(128단) 유에프에스(UFS) 3.1로 세계 최초의 스마트폰을 지원하고 광범위한 국제반도체표준협의기구(JEDEC, Joint Electron Device Engineering Council) 표준 유에프에스(UFS) 3.1 기능을 가진 제품들을(WriteBooster, Host Performance Booster 등) 지원한다. 유에프에스(UFS) 2.2의 밀도는 64-512기가바이트(GB)이고 유에프에스(UFS) 3.1의 밀도는 128-512기가바이트(GB)이다. 유에프에스(UFS) 2.2의 칩 모양과 종류는 11.5x13x1.0 153 플렉스 볼 배열(FBGA, Fine Ball-Grid Array)이고 유에프에스(UFS) 3.1은 11.5x13x1.0 153 플렉스 볼 배열(FBGA)이다.
• 내장형 멀티미디어카드(eMMC, Embedded MultiMediaCard) : 내장형 멀티미디어카드(eMMC) 5.1은 장기적인 지원과 더불어 광범위한 라인업을 해주며 최대 인터페이스 속도 400메가바이트(MB/s)로 최적화된 성능을 제공한다. 밀도는 8-32기가바이트(GB), 64-128기가바이트(GB)가 있으며 칩 모양과 종류는 11.5x13x0.8 153 플렉스 볼 배열(FBGA), 11.5x13x1.0 153 플렉스 볼 배열(FBGA)이 있다. 모바일, 컴퓨터, 소비자, 자동차 등에 적용되어 사용된다.

멀티칩 패키지

멀티칩 패키지(MCP, Multi Chip Package)은 여러 종류의 반도체를 하나로 묶어 단일칩으로 만든 반도체를 일컫는다. 최근 휴대용 디지털 기기에 핵심부품으로 등장하면서 주목을 받고 있다.

유에프에스 기반 멀티칩 패키지(UMCP, UFS-based Multi Chip Package)

• 유에프에스 기반 멀티칩 패키지(UMCP, UFS-based Multi Chip Package) : 유에프에스(UFS)3.1&이중 데이터율 5(LPDDR5)은 단일 패키지에 축적된 최신 유에프에스(UFS) 낸드(NAND) 및 이중 데이터율(LPDDR) 디램(DRAM)이며 용량과 속도를 갖춘 고성능 모바일 솔루션을 갖추고 있다. 밀도는 128-512기가바이트(GB)&6-12기가바이트(GB)이고 속도는 6,400메가바이트(Mbps), 패키지는 297볼(BALL)이며 모바일에서 적용된다. 유에프에스(UFS)2.2&이중 데이터율(LPDDR)4X은 유에프에스(UFS) 낸드(NAND) 및 이중 데이터율(LPDDR) 디램(DRAM)을 단일 패키지에 적층시킨 것으로 더 작은 범위 내에서 경쟁력 있는 높은 밀도의 얇은 폼 요소들을 가지고 있는 제품이다. 밀도는 64-256기가바이트(GB)&3-12기가바이트(GB)이며 속도는 4,266메가바이트(Mbps)이고 패키지는 254볼(BALL)이다. 적용은 모바일에서 가능하다.
• 임베디드 멀티칩 패키지(EMCP, Embedded Multi Chip Package) : 임베디드 멀티칩 패키지(eMMC)5.1&이중 데이터율(LPDDR) 4X은 단일 패키지에 쌓인 임베디드 멀티칩 패키지(eMMC) 낸드(NAND) 및 이중 데이터율(LPDDR) 디램(DRAM)으로 구성되어 있으며 모바일 장치의 공간 효율성 40% 향상시킨 제품이다. 밀도는 16-128기가바이트(GB)&2-6기가바이트(GB)이며 속도는 3,733-4,266메가바이트(Mbps)이고 패키지는 254볼(BALL)이다. 적용은 모바일에서만 가능하다.

상보형 금속 산화 반도체 센서

씨아이에스(CIS)

• 씨아이에스 : 저조도 조건에서 선명한 사진 캡처가 가능하며 노이즈 특성이 크게 향상되어 가장 사실적인 이미지를 지원하는 제품이다. 해상도는 1-48밀리언(M)이고 픽셀의 크기는 0.8-1.12마이크로미터(um), 광학 형식은 1/11"-1/2"이고 모바일, 노트북, 보안, 의료 분야에서 적용되어 사용된다.

최근 현황

• 최대 용량 모바일용 이중 데이터율 모바일 디램 생산 : 에스케이하이닉스㈜가 업계 최대 용량인 18기가바이트(GB) 모바일용 이중 데이터율(LPDDR5) 모바일 디램(DRAM)을 생산한다고 2021년 3월 8일에 밝혔다. 이 제품은 최고 사양 스마트폰에 장착돼 고해상도 게임과 동영상을 재생하는 데 최적의 환경을 지원한다고 알려졌으며 향후 초고성능 카메라 앱, 인공지능(AI) 등 최신 기술로 적용 범위가 계속 넓어질 것으로 전망했다. 이번에 나오는 제품은 기존 스마트폰에 탑재된 모바일 디램(DRAM)의 속도인 5,500(메가바이트)Mb/s보다 약 20% 빨라진 6,400(메가바이트)Mb/s 속도로 동작한다. 6,400메가바이트(Mb/s)는 5기가바이트(GB)되는 용량인 풀 에이치디(FHD, Full-HD)급 영화 10편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도다. 이 제품을 글로벌 IT 기업인 에이수스(ASUS)에서 출시 예정인 게이밍 스마트폰인 ‘알오쥐(ROG, Republic of Gamers) 5’에 공급하면서 양산을 본격화한다고 알렸다.
• 중국 다롄시와 협력 관계 구축 위한 양해각서 체결 : 에스케이하이닉스㈜가 2020년 12월 29일 중국 다롄시 정부와 협력관계 구축을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다. 앞서 에스케이하이닉스㈜는 2019년 10월 인텔의 낸드 사업부 인수를 발표와 더불어, 다롄에는 인텔의 낸드 생산 팹이 위치하고 있다. 2020년 12월 29일 오후 화상 연결로 진행된 체결식에는 다롄시 진궈웨이 부시장과 에스케이하이닉스㈜ 노종원 경영지원담당 부사장(CFO) 등이 참석했다. 양측은 이번 협약을 통해 에스케이하이닉스㈜의 인텔 낸드 사업 인수를 계기로 다롄 지역에서의 신규 투자를 공동으로 추진하기로 했다. 이와 함께 다롄시는 인텔 팹이 에스케이하이닉스㈜로 원활하게 이전될 수 있도록 필요한 절차를 지원하기로 했으며 에스케이하이닉스㈜는 중국 IT 기업들과 협력 관계를 구축시키고, 다롄시의 산업 혁신이 이루어질 수 있도록 힘쓰기로 했다. 진궈웨이 부시장은 “다롄시는 에스케이하이닉스㈜가 인텔 낸드 사업부문을 성공적으로 인수할 수 있도록 협력하고, 다양한 투자 활동을 함께 진행해 지역경제 성장을 도모할 것”이라고 밝혔고 노종원 부사장은 “에스케이하이닉스㈜는 2004년 중국 장쑤성 우시에 처음 진출한 이후, 지역사회와 회사가 함께 성장하기 위한 노력을 여러 방면으로 펼쳐왔다”라며 “그 결과 현지에 뿌리를 잘 내린 외국 기업으로 자리매김할 수 있었다”고 말했다. 이어 “인텔 낸드 사업 인수와 함께 에스케이하이닉스㈜의 새로운 터전이 될 다롄에서도 지역 내 산업 혁신과 경제 발전을 위해 긴밀히 협력하겠다”라고 덧붙였다.
• 10억달러 규모 그린본드 발행 : 에스케이하이닉스㈜는 환경/사회/지배구조(ESG, Environmental, Social and Governance ) 경영 가속화를 위해 친환경 사업에 투자하는 10억 달러 규모의 그린본드(Green Bond)를 발행한다고 2021년 1월 15일 밝혔다. 그린본드는 환경친화적 투자에 필요한 자금 조달을 위한 용도로만 쓸 수 있는 특수목적 채권이며, 글로벌 메모리반도체 기업 중 그린본드를 발행한 경우는 에스케이하이닉스㈜가 첫 주자이다. 최근 세계 유수 기업들은 기후변화 등에 선제적 대응을 하기 위해 환경/사회/지배구조(ESG) 활동에 적극 나서고 있다. 실제로 애플, 타이완 반도체 매뉴팩처링(TSMC) 등 글로벌 정보기술(IT) 기업들은 한 기업이 사용하는 전력의 100%를 재생에너지로 조달하겠다는 선언인 재생에너지100%(RE100, Renewable Energy 100)에 참여하고, 환경개선(그린본드), 사회적 책무(소셜본드), 지배구조개선(지속가능채권) 등을 목적으로 발행되는 채권인 환경/사회/지배구조(ESG) 채권 발행을 진행한 바 있다. 에스케이하이닉스㈜도 2020년 말 SK 주요 관계사들과 함께 국내 기업 최초로 재생에너지100(RE100)에 동참했다. 영국 소재 다국적 비영리기구 ‘더 클라이밋 그룹’이 2014년 시작해 현재 전세계 263개 기업이 가입해 있다. 이번 그린본드에는 전세계 230여 개 기관 투자자로부터 54억 달러의 주문이 들어왔고 이에 따라 회사는 당초 5억 달러 수준으로 계획했던 발행 규모를 10억 달러로 대폭늘 늘렸다. 에스케이하이닉스㈜는 그린본드를 통해 마련한 재원을 수질 관리, 에너지 효율화, 오염 방지, 생태환경 복원 등 친환경 사업에 투자할 예정이며, 특히 반도체 산업에서 중요성이 매우 높은 물 관리를 위해 신규 최첨단 폐수 처리장 건설과 용수재활용 시스템 구축 프로젝트를 진행한다. 이와 함께 IT 산업 전반의 탄소 배출 저감을 위해 저전력 낸드 기반 저장장치(SSD, Solid State Drive) 개발 사업 등 다양한 프로젝트도 추진할 계획이라고 밝혔다.
• 업계 최고의 ‘176단 4D 낸드’ 개발 :
  

  차지 트랩 플래시(CTF, Charged Trap Flash)
  에스케이하이닉스㈜는 이 제품을 솔루션화하기 위해 2020년 11월에 컨트롤러 업체에 샘플을 제공하여 반도체 업계의 최고인 176단 512기가비트(Gb) 티엘씨(TLC, Triple Level Cell) 4D 낸드플래시를 개발했다고 2020년 12월 7일 밝혔다. 에스케이하이닉스㈜는 96단 낸드플래시부터 차지 트랩 플래시(CTF, Charge Trap Flash)와 고집적 피유씨(PUC ,Peri Under Cell) 기술을 결합한 4D 제품을 시장에 선보이고 있다. 이번에 개발한 176단 낸드는 3세대 4D 제품으로 업계 최고 수준의 웨이퍼 당 생산 칩 수를 확보했으며 이를 통해 비트 생산성은 이전 세대보다 35% 이상 향상돼 차별화된 원가경쟁력을 갖출 수 있게 됐다. 2분할 셀 영역 선택 기술을 새롭게 적용해 셀(Cell)에서의 읽기 속도는 이전 세대 보다 20% 빨라졌으며 공정 수 증가 없이 속도를 높일 수 있는 기술도 적용해 데이터 전송 속도는 33% 개선된 1.6기가비트(Gbps)를 구현했다. 에스케이하이닉스㈜는 2021년 중반, 최대 읽기 속도 약 70%, 최대 쓰기 속도 약 35%가 향상된 모바일 솔루션 제품을 시작으로 일반 소비자용 에스에스디(SSD)와 기업용 에스에스디(SSD)를 순차적으로 출시하는 등 응용처별 시장을 확대해 나갈 예정이라고 밝혔다. 낸드플래시는 층수가 높아지면서 셀 내부의 전류 감소, 층간 비틀림 및 상하 적층 정렬 불량(Stack misalignment)에 따른 셀 분포 열화 현상 등이 발생하게 된다. 에스케이하이닉스㈜는 이러한 어려움을 셀 층간 높이 감소 기술, 층별 변동 타이밍(Timing) 제어 기술, 초정밀 정렬(alignment) 보정 등 혁신적인 기술로 극복하고 업계 최고 수준의 176단 낸드를 개발했으며 176단 4D 낸드 기반으로 용량을 2배 높인 1테라비트(Tb) 제품을 연속적으로 개발해 낸드플래시 사업 경쟁력을 높여 나간다는 방침이다. 에스케이하이닉스㈜ 낸드개발 최정달 담당은 “낸드플래시 업계는 집적도 향상과 생산성 극대화를 동시에 달성하기 위해 기술 개발에 매진하고 있다”라며 “ 4D 낸드의 개척자로서 업계 최고의 생산성과 기술력으로 낸드플래시 시장을 선도해 나갈 것”이라고 말했다.

참고자료

• SK하이닉스㈜ 공식홈페이지 - https://www.skhynix.com/kor/index.jsp
• 〈DRAM〉, 《네이버 지식백과》
• 〈SSD〉, 《네이버 지식백과》
• 〈MCP〉, 《네이버 지식백과》
• 김경민 기자, 〈SK하이닉스, 업계 최대용량 모바일 D램 양산〉, 《파이낸셜뉴스》, 2021-03-08
• 이승현 기자, 〈SK하이닉스 中다롄시, 협력 관계 구축 위한 MOU 체결〉, 《핀포인트뉴스》, 2021-01-29
• 염보라 기자, 〈SK하이닉스, ESG 경영강화 위해 10억달러 규모 그린본드 발행〉, 《공감신문》, 2021-01-15
• 양태훈 기자, 〈SK하이닉스, 176단 4D 낸드 개발...내년 SSD 출시〉, 《메가뉴스》, 2020-12-07

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