SK하이닉스㈜

에스케이하이닉스㈜

SK Hynix㈜

에스케이하이닉스㈜ 또는 SK Hynix㈜는 1983년 현대전자로 설립됐고, 2001년 하이닉스반도체를 거쳐 2012년 최대주주가 SK텔레콤으로 바뀌면서 에스케이하이닉스㈜로 상호를 변경한 SK의 반도체 회사이다.

개요

이천, 청주의 국내 사업장을 포함하여 중국 우시, 충칭 4곳에 생산기지와 전세계 4개의 연구개발법인, 10개의 판매법인을 운영하는 글로벌 기업이다. 모바일과 컴퓨팅 등 각종 IT 기기에 필수적으로 들어가는 디램(DRAM)과 낸드플래시 등 메모리반도체를 중심으로 저소비전력형의 촬상소자(CIS, CMOS Image Sensor)와 같은 시스템반도체 등을 생산하는 기업이다.. 1984년 국내 최초로 16킬로바이트(Kb) 에스램(SRAM)을 시험 생산한 이래, 세계 최초-최소-최고속-최저전압의 혁신적인 반도체 제품을 시장에 선보이며 30여 년간의 축적된 반도체 생산운영 노하우를 바탕으로 지속적인 연구개발 및 투자를 통해 기술 및 원가 경쟁력을 확보하고, 세계 반도체 시장을 선도하기 위해 노력하고 있다. 주요 제품 및 서비스는 메모리 반도체(DRAM, NAND Flash, MCP) 및 시스템 반도체(CIS) 반도체이다. 사업개시일은 1983년 2월이며, 본사는 경기도 이천시 부발읍 경충대로 2091에 위치해 있다. 현재 대표이사는 이석희이다.

연혁

• 2020년 10월 : 세계 최초 DDR5 디램(DRAM) 출시, 인텔 낸드 메모리 사업 인수 발표
• 2019년 10월 : ‘글로벌 뉴스룸’ 오픈, 3세대 10나노급(1z) DDR4 디램(DRAM) 개발
• 2018년 11월 : 2세대 10나노급(1Y) 16기가바이트(GB) DDR5 개발, 2세대 10나노급(1Y) DDR4 디램(DRAM) 개발, 세계 최초 CTF 기반 96단 4D 낸드 개발
• 2014년 06월 : 업계 최초 '임금공유제' 도입
• 2013년 11월 : 16나노 낸드플래시 양산 체제 구축
• 2012년 09월 : 20나노급 4기가바이트(GB) 그래픽 DDR3 개발, ‘플래시 디자인 솔루션 센터’ 설립
• 2011년 04월 : 30나노급 2기가바이트(GB) 차세대 DDR4 디램(DRAM) 개발
• 2010년 11월 : 반도체 업계 최초 탄소경영보고서 발간, 국내 기업 ‘기업지배구조’ 1위 선정
• 2009년 12월 : 세계 최초 40나노급 2기가비트 그래픽 DDR5 개발
• 2008년 08월 : 청주 300mm 전용 청주 제3공장 준공, 미국 상계관세 철폐, 세계 최초 16기가바이트(GB) 서버용 모듈 개발
• 2007년 04월 : 업계 최고 수준의 이익률 기록, 청주 300mm 공장 (M11) 착공 , 퓨전메모리 DOC H3 본격양산
• 2006년 10월 : 중국 합작공장 Hynix-ST 준공으로 글로벌 300mm 생산체제 구축
• 2005년 12월 : 세계 최고속, 최대용량 그래픽 메모리 512메가바이트(Mb) GDDR4 디램(DRAM) 개발
• 2004년 08월 : 중국 장쑤성 우시시와 중국 현지공장설립 본계약 체결
• 2002년 06월 : 고성능 정보가전용 256메가바이트(Mb) 에스디램(SDRAM) 최초 출시
• 2001년 12월 : 세계 최고속 그래픽용 128메가바이트(Mb) 이중 데이터율 (DDR,Double Data Rate) 에스디램(SDRAM) 출시
• 2000년 05월 : 전 사업장 환경경영 인증획득, 국내최초로 ADSL시스템 수출
• 1999년 10월 : ㈜현대반도체 흡수합병
• 1998년 11월 : 세계 최고속 128메가바이트(Mb) 에스램(SRAM) 양산
• 1997년 11월 : 세계최초 싱크링크 디램(DRAM) 시제품 개발
• 1996년 02월 : 미국 오레건주 반도체공장 (HSA)착공
• 1995년 10월 : 세계최초 256메가바이트(Mb) 에스램(SRAM) 개발
• 1993년 02월 : 자동차용 위성위치확인시스템(GPS, Global positioning system) 자동항법장치 세계 3번째로 개발
• 1991년 10월 : 국내 최소형, 최경량 휴대용 전화기 시판
• 1989년 01월 : 세계반도체시장 점유율 20위권 진입
• 1988년 12월 : 자동응답전화기 개발
• 1987년 10월 : 카폰 수출 10만대 돌파, 256킬로바이트(Kb) 디램(DRAM) 수출 개시
• 1986년 04월 : 반도체영업본부 발족, 반도체연구소 설립
• 1985년 05월 : 일반 전화기 국내시판 개시, 16킬로바이트(Kb) 에스램(SRAM)/64킬로바이트(Kb) 디램(DRAM) 양산 개시
• 1984년 04월 : 통신기기공장, 정보기기공장 준공
• 1983년 02월 : 현대전자산업주식회사 창립

주요 제품

디램

디램(DRAM, Dynamic random access memory)은 램의 한 종류로 저장된 정보가 시간에 따라 소멸하기 때문에 주기적으로 재생시켜야 하는 특징을 가지고 있다. 구조가 간단해 집적이 용이하므로 대용량 임시기억장치로 사용되는 임의접근기억장치(Random Access Memory)의 한 종류이다.

등록된 모듈(RDIMM, Registered Dual In-line Memory Module)

• 모듈(MODULE) : 총 4가지의 제품으로 구성되어 있다. 첫 번째 제품은 등록된 모듈(RDIMM, Registered Dual In-line Memory Module)로 디(D)램과 시스템 메모리 컨트롤러 사이에 주소와 명령 신호를 위한 레지스터(RCD, Registration Clock Driver)가 추가된 듀얼 인라인 메모리 모듈(DIMM, Dual in-line memory module)이다. x4, x8 디램(DRAM), x4 3DS 스택을 지원하며 서버(Server)와 네트워킹(Networking)에 응용된다. 두 번째는 부하 감소 모듈(LRDIMM, Load Reduced DIMM)은 디큐(DQ) 신호용 디램(DRAM)과 시스템 메모리 컨트롤러 사이의 부하를 줄이기 위해 레지스터(DB, Data Buffer)가 추가된 듀얼 인라인 메모리 모듈(DIMM)이며 x4, x8 디램(DRAM)을 지원하며 등록된 모듈(RDIMM)과 동일하게 서버(Server)와 네트워킹(Networking)에 응용된다. 세 번째, 등록되지 않은 모듈(UDIMM, Unregistered DIMM)은 레지스터 또는 오류 정정 코드(ECC, Error correction code) 패리티가 없는 듀얼 인라인 메모리 모듈(DIMM)이며 x8, x16 디램(DRAM)을 지원하고 컴퓨터(PC, Personal computer)와 네트워킹(Networking)에 응용된다. 마지막으로 작은 윤곽(SODIMM, Small Outline DIMM)은 공간이 제한된 시스템을 위한 소형 듀얼 인라인 메모리 모듈(DIMM)로 x8, x16 디램(DRAM)을 지원하며 등록되지 않은 모듈(UDIMM)와 같이 컴퓨터(PC)와 네트워킹(Networking)에 적용된다.
• 이중 데이터율(DDR, Double Data Rate) : 총 3가지의 제품으로 구성되어 있다. 첫 번째는 이중 데이터율 5(DDR5)은 애플리케이션에 차세대 메모리로, 고성능 낮은 전력 소모량 및 이중 데이터율 4(DDR4)보다 더 나은 회복성에 대한 다양한 기능을 갖춘 제품이다. 밀도는 16기가바이트(Gb)이며, 속도는 4,800-6,400(메가비트)Mbps 이상이고 서버, 네트워킹, 컴퓨터 그리고 소비자들에게 적용된다. 두 번째는 이중 데이터율 4(DDR4)은 대규모 워크로드를 위한 고성능 메모리로 더욱 빠른 속도와 적은 전력으로 더 큰 데이터 볼륨 제공한다. 밀도는 4-16기가바이트(Gb)이며, 속도는 1600-3200(메가비트)Mbps이고 이중 데이터율5(DDR5)와 동일하게 서버, 네트워킹, 컴퓨터 그리고 소비자들에게 적용된다. 마지막으로 이중 데이터율 3(DDR3)로 누출 전류를 제어하는 3차원 트랜지스터로 전력 소비 최소화하고 이중 데이터율2(DDR2)보다 빠른 데이터 전송과 높은 프리페치율로 더욱 강력한 컴퓨터 성능을 지원한다. 밀도는 4기가바이트(Gb)이며 속도는 800-2,133(메가비트)Mbps이고 네트워킹, 소비자, 자동차에 적용된다.
• 모바일용 이중 데이터율(LPDDR, Low Power DDR) : 총 3가지의 제품이 있다. 첫 번째는 모바일용 이중 데이터율 5(LPDDR5)로 주력 스마트폰 및 모든 성능의 집약적인 애플리케이션을 위한 고속 및 저전력 메모리이다. 1.05볼트(V) 저전력 모바일 장치에 대용량 및 성능 제공하며 밀도는 8기가바이트(Gb)/12기가바이트(Gb)이며 속도는 6,400(메가비트)Mbps이고 패키지 유형은 팝형(PoP, Point of presence)/멀티칩패키지형(MCP, Multi Chip Package)/이산형(Discrete)이 있으며 모바일, 컴퓨터, 네트워킹, 소비자, 자동차에 적용된다. 두 번째, 모바일용 이중 데이터율 4X(LPDDR4X)은 저렴한 스마트폰 및 다양한 애플리케이션을 위한 고속 및 저전력 메모리이며. 모바일용 이중 데이터율 4(LPDDR4)에 비해 'IO'전력 절감으로 전력 효율성을 향상시킬 수 있다. 밀도는 4기가바이트(Gb)/16기가바이트(Gb)/24기가바이트(Gb)이며 속도는 3,733-4,266(메가비트)Mbps이고 패키지 유형은 팝형(PoP)/멀티칩 패키지 형(MCP)/이산형(Discrete)이 있다. 앞선 제품과 동일하게 모바일, 컴퓨터, 네트워킹, 소비자, 자동차에 응용된다. 모바일용 이중 데이터율 4X(LPDDR4X)은 소비자 및 네트워킹 장치를 위한 고속 및 저전력 메모리로 지속적인 지원이 필요한 자동차 및 네트워킹 애플리케이션에 적합한 제품이다. 밀도는 4기가바이트(Gb)/8기가바이트(Gb)/16기가바이트(Gb)이며 속도는 3,200-4,266(메가비트)Mbps이고 패키지 유형은 이산형(Discrete)이 있다. 자동차나 네트워킹 뿐 만 아니라 컴퓨터나 소비자에게도 적용되는 제품이다.
• 고대역폭 메모리(HBM, High Bandwidth Memory) : 그 중 고대역폭 메모리 2E(HBM2E)는 실리콘 관통 전극(TSV, Through Silicon Via)을 사용하는 수직 적층 디램(DRAM) 칩의 초당 460기가바이트(GB) 대역폭의 고대역폭 메모리이다. 딥 러닝 가속기 및 인공지능(AI) 시스템에 최적화된 프리미엄 메모리 솔루션이며 8-16기가바이트(GB)의 밀도와 3.2-3.6기가바이트(Gbps) 속도, 패키지 유형은 케쥐에스디형(KGSD)이 있으며 서버, 네트워킹, 소비자, 자동차 등에 적용된다.
• 그래픽 이중 데이터율(GDDR, Graphics DDR) : 그래픽 이중 데이터율(GDDR)은 총 2가지 제품으로, 첫 번째 제품인 그래픽 이중 데이터율 6(GDDR6)은 집약적인 그래픽 데이터 처리에 최적화된 메모리이며 초고속 그래픽 성능을 가지고 있다. 밀도는 8~16기가바이트(GB)이며 속도는 14기가바이트(Gbps)이고 컴퓨터, 소비자, 서버, 네트워킹에 적용된다. 그래픽 이중 데이터율 5(GDDR5)은 집약적인 그래픽 데이터 처리에 최적화된 메모리로 3D 그래픽 집약적인 애플리케이션을 위한 강력한 성능을 가지고 있다. 밀도는 8기가바이트(Gb)이며 속도는 6-8기가바이트(Gbps)이고 컴퓨터, 소비자, 서버, 네트워킹에 적용된다.

에스에스디

에스에스디(SSD, Solid State Drive)는 반도체를 이용하여 정보를 저장하는 장치이다. 하드디스크 드라이브에 비하여 속도가 빠르고 기계적 지연이나 실패율, 발열·소음도 적으며, 소형화·경량화할 수 있는 장점이 있다. 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive)의 영문 머리글자를 딴 약자이다. 하드디스크(HDD)와 비슷하게 동작하면서도 기계적 장치인 하드디스크(HDD)와는 달리 반도체를 이용하여 정보를 저장한다. 에스에스디(SSD)는 기업에서 사용하는 것과 일반 소비자가 사용하는 것으로 나뉜다.

피이8000 시리즈(PE8000 Series)

• 기업용 에스에스디(Enterprise SSD) : 기업용 에스에스디(SSD)는 총 3가지이다. 첫 번째, 피이8000 시리즈(PE8000 Series)는 피씨아이 익스프레스(PCIe, PCI Express) 4세대(Gen4) 엔브이엠(NVMe,NVM Express)으로 성능이 대폭 향상되었고 더욱 강력한 기능 및 폼 팩터 지원이 가능한 제품이다. 인터페이스는 피씨아이 익스프레스(PCIe) 4세대 x4/3세대 x4이고 용량은 읽기 전용인 960-15360기가바이트(GB)와 혼용인 800-6400기가바이트(GB)이며 디더블유피디(DWPD, Drive Writes Per Day)는 1-3이고 서버와 네트워킹에 적용된다. 두 번째인 피이6000 시리즈(PE6000 Series)는 I/O 성능 향상 및 짧고 일관된 대기 시간을 제공하며 대용량 요구 사항에 따라 읽기 집약적인 혼합 사용 워크로드를 위한 최적의 솔루션을 갖추고 있는 제품이다. 인터페이스는 피씨아이 익스프레스(PCIe) 3세대(Gen3) x4이고 용량은 읽기 전문용 960-7,680기가바이트(GB)/복합용 800-6,400기가바이트(GB)가 있고 디더블유피디(DWPD)는 1-3이고 서버와 네트워킹에 적용된다. 마지막으로 세스이5000 시리즈(SE5000 Series)는 4D 낸드(NAND) 및 차세대 컨트롤러를 갖춘 새로운 고속 인터페이스(SATA, Serial ATA) 혼합 사용 워크로드 에스에스디(SSD) 라인업이다. 인터페이스는 고속 인터페이스(SATA) 6.0기가바이트(Gbps)이고 용량은 읽기 전용과 혼합용 모두 480-3840기가바이트(GB)이고 디더블유피디(DWPD)는 1-3이며 서버와 네트워킹에서 이용된다.
• 일반 소비자용 에스에스디(Client SSD) : 컴퓨터(PC)711/비씨(BC)711은 이산형 볼 그리드 배열(BGA, Ball Grid Array)에서 모듈까지 다양한 폼 팩터를 제공하고 클라이언트 장치의 낮은 전력 소비량의 특징을 가지고 있다. 컴퓨터(PC)711의 인터페이스는 피씨아이 익스프레스(PCIe) 3세대 x4이고 컴퓨터(PC)711의 용량은 256-1024기가바이트(GB)이고 비씨(BC)711의 용량은 128-1024기가바이트(GB)이다. 컴퓨터와 서버에서 응용되어 사용된다.

낸드 저장소

유에프에스 2.2/3.1(UFS 2.2/3.1)

• 유에프에스(UFS) : 유에프에스(UFS) 2.2/3.1은 V6(128단) 유에프에스(UFS) 3.1로 세계 최초의 스마트폰을 지원하고 광범위한 국제반도체표준협의기구(JEDEC, Joint Electron Device Engineering Council) 표준 유에프에스(UFS) 3.1 기능을 가진 제품들을(WriteBooster, Host Performance Booster 등) 지원한다. 유에프에스(UFS) 2.2의 밀도는 64-512기가바이트(GB)이고 유에프에스(UFS) 3.1의 밀도는 128-512기가바이트(GB)이다. 유에프에스(UFS) 2.2의 칩 모양과 종류는 11.5x13x1.0 153 플렉스 볼 배열(FBGA, Fine Ball-Grid Array)이고 유에프에스(UFS) 3.1은 11.5x13x1.0 153 플렉스 볼 배열(FBGA)이다.
• 내장형 멀티미디어카드(eMMC, Embedded MultiMediaCard) : 내장형 멀티미디어카드(eMMC) 5.1은 장기적인 지원과 더불어 광범위한 라인업을 해주며 최대 인터페이스 속도 400메가바이트(MB/s)로 최적화된 성능을 제공한다. 밀도는 8-32기가바이트(GB), 64-128기가바이트(GB)가 있으며 칩 모양과 종류는 11.5x13x0.8 153 플렉스 볼 배열(FBGA), 11.5x13x1.0 153 플렉스 볼 배열(FBGA)이 있다. 모바일, 컴퓨터, 소비자, 자동차 등에 적용되어 사용된다.

멀티칩 패키지

멀티칩패키지(MCP, Multi Chip Package)은 여러 종류의 반도체를 하나로 묶어 단일칩으로 만든 반도체를 일컫는다. 최근 휴대용 디지털 기기에 핵심부품으로 등장하면서 주목을 받고 있다.

• 유에프에스 기반 멀티칩 패키지(UMCP, UFS-based Multi Chip Package) : 유에프에스(UFS)3.1+LPDDR5

참고자료

• SK하이닉스㈜ 공식홈페이지 - https://www.skhynix.com/kor/index.jsp
• 〈DRAM〉, 《네이버 지식백과》
• 〈SSD〉, 《네이버 지식백과》
• 〈MCP〉, 《네이버 지식백과》

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