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"메모리카드"의 두 판 사이의 차이

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==개요==
 
==개요==
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플래시 메모리는 메모리 칩 안에 정보를 유지시키는 데에 전력이 필요 없는 비휘발성 메모리이다. 게다가 플래시 메모리는 읽기 속도가 빠르며(단, 개인용 컴퓨터에서 메인메모리로 쓰이는 [[DRAM]]만큼 빠르지는 않고, 순차읽기속도는 하드디스크가 더 빠를 수 있음) [[하드 디스크]] 보다 충격에 강하다. 이러한 특징으로 배터리로 동작하는 장치에서 저장 장치로 많이 사용한다. 플래시 메모리의 또 다른 장점은 강한 압력이나 끓는 물에도 견딜 만큼, 물리적인 힘으로 거의 파괴되지 않는다는 점이다.<ref name="wiki_flash">〈[https://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%94%8C%EB%9E%98%EC%8B%9C_%EB%A9%94%EB%AA%A8%EB%A6%AC 플래시 메모리]〉, 《위키백과》</ref>
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플래시 메모리는 메모리 칩 안에 정보를 유지시키는 데에 전력이 필요 없는 비휘발성 반도체 저장장치이다. 게다가 플래시 메모리는 읽기 속도가 빠르며(단, 개인용 컴퓨터에서 메인메모리로 쓰이는 [[DRAM]]만큼 빠르지는 않고, 순차읽기속도는 하드디스크가 더 빠를 수 있음) [[하드 디스크]] 보다 충격에 강하다. 이러한 특징으로 배터리로 동작하는 장치에서 저장 장치로 많이 사용한다. 플래시 메모리의 또 다른 장점은 강한 압력이나 끓는 물에도 견딜 만큼, 물리적인 힘으로 거의 파괴되지 않는다는 점이다.<ref name="wiki_flash">〈[https://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%94%8C%EB%9E%98%EC%8B%9C_%EB%A9%94%EB%AA%A8%EB%A6%AC 플래시 메모리]〉, 《위키백과》</ref>
  
 
==역사==
 
==역사==
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NAND 플래시는 쓰기 작업을 위해서 터널 주입을 사용하고, 지우기 위해 터널 릴리즈를 사용한다. NAND 플래시 메모리는 USB 메모리 드라이브로 알려진 USB 인터페이스 저장 장치에서 쓰이고 있다.<ref name="wiki_flash"></ref>
 
NAND 플래시는 쓰기 작업을 위해서 터널 주입을 사용하고, 지우기 위해 터널 릴리즈를 사용한다. NAND 플래시 메모리는 USB 메모리 드라이브로 알려진 USB 인터페이스 저장 장치에서 쓰이고 있다.<ref name="wiki_flash"></ref>
  
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==종류==
  
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==저장방식==
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===게이트===
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플래시 메모리는 크게 나누어 NAND 타입과 NOR 타입 두 종류가 있다. 드 모르간 법칙 때문에 NAND 게이트나 NOR 게이트만으로도 모든 논리 게이트(logic gate)를 구현할 수 있다. 회로상으로 NAND 타입은 어드레스 라인이 블록 단위로 설치돼 있고 NOR 타입은 셀 단위로 설치돼 있다. NAND 타입이 블록 액세스만 가능한 이유가 이것 때문이다. 대신 배선 수를 NOR 타입보다 획기적으로 줄일 수 있어서 고밀도화가 가능해진다.<ref>〈[https://namu.wiki/w/%ED%94%8C%EB%9E%98%EC%8B%9C%20%EB%A9%94%EB%AA%A8%EB%A6%AC?from=%ED%94%8C%EB%9E%98%EC%8B%9C%EB%A9%94%EB%AA%A8%EB%A6%AC 플래시 메모리]〉, 《나무위키》</ref>
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[[파일:NAND와_NOR_셀구조.jpg|200픽셀|섬네일|오른쪽|NAND vs NOR - 셀 구조<ref name="NandNor">맘여린v, 〈[https://amanan1004.tistory.com/27 NAND, NOR flash Memory에 대해 알아보자]〉, 《티스토리》, 2018-08-13</ref>]]
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:{|class=wikitable style="background-color:#ffffee"
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|+ 낸드플래시의 게이트
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!align=center style="background-color:#ffeecc"|구분
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!align=center style="background-color:#ffeecc"|NAND 타입
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|align=center|용도
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|align=center|랜덤 액세스이나 한 블록이 모두 동작함. 비교적 느림
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|align=center|셀 단위 랜덤 액세스. 빠름
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|align=center|한 번에 한 블록을 통째로 기록하여 빠름
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====NOR Flash====
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===저장방식===
 
메모리 카드의 셀 특징에 따라 나눌 수 있다.
 
메모리 카드의 셀 특징에 따라 나눌 수 있다.
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===SLC===
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====SLC====
 
SLC(Single Level Cell)는 하나의 셀에 1비트의 데이터를 저장하는 방식이다. TCL보다 수명이 길고 읽기/쓰기 속도가 빠르다. 알려진 수명은 최대 100,000번 정도의 쓰기를 할 수 있다. 다른 종류들에 비해 압도적으로 빠르지만 매우 비싸다는게 단점이다.<ref>〈[https://namu.wiki/w/SLC SLC]〉, 《나무위키》</ref>  
 
SLC(Single Level Cell)는 하나의 셀에 1비트의 데이터를 저장하는 방식이다. TCL보다 수명이 길고 읽기/쓰기 속도가 빠르다. 알려진 수명은 최대 100,000번 정도의 쓰기를 할 수 있다. 다른 종류들에 비해 압도적으로 빠르지만 매우 비싸다는게 단점이다.<ref>〈[https://namu.wiki/w/SLC SLC]〉, 《나무위키》</ref>  
 
셀에 저장되는 비트 수는 0 또는 1 – 두 상태와 하나의 임계 전압을 의미한다.<ref name="bit">Chris Mellor, 〈[https://blocksandfiles.com/2019/08/07/penta-level-cell-flash/ WD and Tosh talk up penta-level cell flash]〉, 《BLOCKS&FILES.》, 2019-08-07</ref>
 
셀에 저장되는 비트 수는 0 또는 1 – 두 상태와 하나의 임계 전압을 의미한다.<ref name="bit">Chris Mellor, 〈[https://blocksandfiles.com/2019/08/07/penta-level-cell-flash/ WD and Tosh talk up penta-level cell flash]〉, 《BLOCKS&FILES.》, 2019-08-07</ref>
  
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===MLC===
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====MLC====
 
MLC(Multi Level Cell)는 하나의 셀에 2비트 이상의 데이터를 저장하는 방식이다. 엄밀히 말하면 3비트나 4비트 모두 MLC라고 부를 수 있지만, 3비트는 TLC, 4비트는 QLC 등으로 별도의 약자가 정착되어 보통 하나의 셀에 2비트의 데이터를 저장하는 방식을 뜻하게 되었다. 2비트 하나만을 뜻하는 약자는 DLC(Dual Level Cell)이었으나, 소프트웨어 다운로드 방식 판매를 뜻하는 DLC(DownLoadable Contents)와 겹쳐서 사장되었다. MLC 방식은 TCL 방식보다 상대적으로 수명이 길고 읽기/쓰기 속도가 쾌적하다. 알려진 수명은 최대 10000번 정도의 쓰기 가능이지만, 최근에는 공정의 미세화로 인해 절연체의 크기가 작아져서 ΜLC라고 할 지라도 3000~4000번정도의 쓰기만 가능하다.<ref>〈[https://namu.wiki/w/MLC MLC]〉, 《나무위키》</ref> 셀에 저장되는 비트 수는 00, 10, 01 또는 11 – 4 개 상태 및 3 개의 임계 전압을 의미한다.<ref name="bit"></ref>
 
MLC(Multi Level Cell)는 하나의 셀에 2비트 이상의 데이터를 저장하는 방식이다. 엄밀히 말하면 3비트나 4비트 모두 MLC라고 부를 수 있지만, 3비트는 TLC, 4비트는 QLC 등으로 별도의 약자가 정착되어 보통 하나의 셀에 2비트의 데이터를 저장하는 방식을 뜻하게 되었다. 2비트 하나만을 뜻하는 약자는 DLC(Dual Level Cell)이었으나, 소프트웨어 다운로드 방식 판매를 뜻하는 DLC(DownLoadable Contents)와 겹쳐서 사장되었다. MLC 방식은 TCL 방식보다 상대적으로 수명이 길고 읽기/쓰기 속도가 쾌적하다. 알려진 수명은 최대 10000번 정도의 쓰기 가능이지만, 최근에는 공정의 미세화로 인해 절연체의 크기가 작아져서 ΜLC라고 할 지라도 3000~4000번정도의 쓰기만 가능하다.<ref>〈[https://namu.wiki/w/MLC MLC]〉, 《나무위키》</ref> 셀에 저장되는 비트 수는 00, 10, 01 또는 11 – 4 개 상태 및 3 개의 임계 전압을 의미한다.<ref name="bit"></ref>
  
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===TLC===
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====TLC====
 
TLC(Triple Level Cell)는 하나의 셀에 3비트를 저장할 수 있는 일종의 [[낸드 플래시 메모리]]이다. TLC는 MLC-3라고도 한다. TLC 플래시의 일반적인 사용은 [[엔터프라이즈]] 및 소비자용 SSD, 디지털 카메라, 휴대폰의 스토리지 카드, USB 드라이브가 포함된다. TLC플래시는 일반적으로 SLC나 MLC 플래시보다 가격이 저렴하다.  
 
TLC(Triple Level Cell)는 하나의 셀에 3비트를 저장할 수 있는 일종의 [[낸드 플래시 메모리]]이다. TLC는 MLC-3라고도 한다. TLC 플래시의 일반적인 사용은 [[엔터프라이즈]] 및 소비자용 SSD, 디지털 카메라, 휴대폰의 스토리지 카드, USB 드라이브가 포함된다. TLC플래시는 일반적으로 SLC나 MLC 플래시보다 가격이 저렴하다.  
  
 
낸드 플래시 제조업체는 메모리 셀이 칩에 수직으로 쌓이는 3D 낸드플래시와 함께 사용한다. 메모리 산업은 제조업체가 단일 에이어의 메모리 셀을 사용하는 2D 또는 평면 기술의 확장 한계에 도달함에 따라 3D 낸드플래시로 발전했다. 3D 낸드는 비트 당 더 낮은 비용으로 더 높은 저장 밀도를 가능하게 하고 플래시의 내구성을 향상시킨다.<ref>Margaret Rouse, 〈[https://searchstorage.techtarget.com/definition/TLC-flash-triple-level-cell-flash TLC flash (triple-level cell flash)]〉, 《TechTarget》, 2017-10</ref> 셀에 저장되는 비트 수는 000, 001, 010, 011, 100, 101, 110, 111 – 8 개 상태 및 따라서 7 개의 임계 전압을 의미한다.<ref name="bit"></ref>
 
낸드 플래시 제조업체는 메모리 셀이 칩에 수직으로 쌓이는 3D 낸드플래시와 함께 사용한다. 메모리 산업은 제조업체가 단일 에이어의 메모리 셀을 사용하는 2D 또는 평면 기술의 확장 한계에 도달함에 따라 3D 낸드플래시로 발전했다. 3D 낸드는 비트 당 더 낮은 비용으로 더 높은 저장 밀도를 가능하게 하고 플래시의 내구성을 향상시킨다.<ref>Margaret Rouse, 〈[https://searchstorage.techtarget.com/definition/TLC-flash-triple-level-cell-flash TLC flash (triple-level cell flash)]〉, 《TechTarget》, 2017-10</ref> 셀에 저장되는 비트 수는 000, 001, 010, 011, 100, 101, 110, 111 – 8 개 상태 및 따라서 7 개의 임계 전압을 의미한다.<ref name="bit"></ref>
  
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===QLC===
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====QLC====
 
QLC(Quad Level Cell)는 하나의 셀에 4비트의 데이터를 저장하는 방식이다. TLC와 비교할 대 QLC의 저장 밀도는 각 셀이 4비트 데이터를 저장할 때 33% 증가하며, QLC의 쓰기 싸이클은 1000번에 도달할 수 있고 TLC의 가격보다 낮다. QLC의 장점은 쓰기 및 액세스가 다른 3가지 유형의 낸드 플래시 메모리보다 적은 수의 드라이버 소프트웨어로 처리할 수 있고, 더 많은 스토리지 용량과 높은 스토리지 밀도 및 저렴한 가격이다.<ref>코고자 kogoza, 〈[https://kogoza.tistory.com/entry/SSD%EC%9D%98-NAND-%ED%94%8C%EB%9E%98%EC%8B%9C-QLC-SLC-MLC-%EB%B0%8F-TLC%EC%9D%98-%EC%B0%A8%EC%9D%B4%EC%A0%90 SSD의 NAND 플래시 QLC, SLC, MLC 및 TLC의 차이점]〉, 《티스토리》, 2019-04-24</ref> 셀에 저장되는 비트 수는 0000, 0001, 0010, 0011, 0100, 0101, 0110, 0111, 1000, 1001, 1010, 1011, 1100, 1101, 1110, 1111 – 16 개 상태이므로 15 개의 임계 전압을 의미한다.<ref name="bit"></ref>
 
QLC(Quad Level Cell)는 하나의 셀에 4비트의 데이터를 저장하는 방식이다. TLC와 비교할 대 QLC의 저장 밀도는 각 셀이 4비트 데이터를 저장할 때 33% 증가하며, QLC의 쓰기 싸이클은 1000번에 도달할 수 있고 TLC의 가격보다 낮다. QLC의 장점은 쓰기 및 액세스가 다른 3가지 유형의 낸드 플래시 메모리보다 적은 수의 드라이버 소프트웨어로 처리할 수 있고, 더 많은 스토리지 용량과 높은 스토리지 밀도 및 저렴한 가격이다.<ref>코고자 kogoza, 〈[https://kogoza.tistory.com/entry/SSD%EC%9D%98-NAND-%ED%94%8C%EB%9E%98%EC%8B%9C-QLC-SLC-MLC-%EB%B0%8F-TLC%EC%9D%98-%EC%B0%A8%EC%9D%B4%EC%A0%90 SSD의 NAND 플래시 QLC, SLC, MLC 및 TLC의 차이점]〉, 《티스토리》, 2019-04-24</ref> 셀에 저장되는 비트 수는 0000, 0001, 0010, 0011, 0100, 0101, 0110, 0111, 1000, 1001, 1010, 1011, 1100, 1101, 1110, 1111 – 16 개 상태이므로 15 개의 임계 전압을 의미한다.<ref name="bit"></ref>
  
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===PLC===
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====PLC====
 
PLC(Penta Level Cells)는 하나의 셀에 5비트의 데이터를 저장하는 방식이다. PLC 셀은 QLC 셀보다 25% 더 많은 용량을 가지고 있다. 그러나 PLC 낸드의 내구성(읽기/쓰기주기)과 속도는 QLC 플래시의 속도보다 낮아 TLC 플래시의 속도보다 느리다. 셀에 저장되는 비트 수는 00000, 00001, 00010, 00011, 00100, 00101, 00110, 00111, 01000, 01001, 01010, 01011, 01100, 01101, 01110, 01111, 10000, 10001, 10010, 10011, 10100, 10101, 10110, 10111, 11000, 11001, 11010, 11011, 11100, 11101, 11110, 11111 – 32 개 상태 및 31 개의 임계 전압을 의미한다.<ref name="bit"></ref>
 
PLC(Penta Level Cells)는 하나의 셀에 5비트의 데이터를 저장하는 방식이다. PLC 셀은 QLC 셀보다 25% 더 많은 용량을 가지고 있다. 그러나 PLC 낸드의 내구성(읽기/쓰기주기)과 속도는 QLC 플래시의 속도보다 낮아 TLC 플래시의 속도보다 느리다. 셀에 저장되는 비트 수는 00000, 00001, 00010, 00011, 00100, 00101, 00110, 00111, 01000, 01001, 01010, 01011, 01100, 01101, 01110, 01111, 10000, 10001, 10010, 10011, 10100, 10101, 10110, 10111, 11000, 11001, 11010, 11011, 11100, 11101, 11110, 11111 – 32 개 상태 및 31 개의 임계 전압을 의미한다.<ref name="bit"></ref>
  
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====OLC====
 
OLC(Octa Level Cell)은 하나의 셀에 8비트의 데이터를 저장하는 방식이다.
 
OLC(Octa Level Cell)은 하나의 셀에 8비트의 데이터를 저장하는 방식이다.
  
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===비교===
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:{|class=wikitable width=700 style="background-color:#ffffee"
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|+ 메모리카드의 종류의 비교
 
|+ 메모리카드의 종류의 비교
 
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* 〈[https://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%94%8C%EB%9E%98%EC%8B%9C_%EB%A9%94%EB%AA%A8%EB%A6%AC 플래시 메모리]〉, 《위키백과》
 
* 〈[https://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%94%8C%EB%9E%98%EC%8B%9C_%EB%A9%94%EB%AA%A8%EB%A6%AC 플래시 메모리]〉, 《위키백과》
 
* 〈[https://ko.wikipedia.org/wiki/%EB%A9%94%EB%AA%A8%EB%A6%AC_%EC%B9%B4%EB%93%9C#cite_note-1 메모리카드]〉, 《위키백과》
 
* 〈[https://ko.wikipedia.org/wiki/%EB%A9%94%EB%AA%A8%EB%A6%AC_%EC%B9%B4%EB%93%9C#cite_note-1 메모리카드]〉, 《위키백과》
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* 〈[https://namu.wiki/w/%ED%94%8C%EB%9E%98%EC%8B%9C%20%EB%A9%94%EB%AA%A8%EB%A6%AC?from=%ED%94%8C%EB%9E%98%EC%8B%9C%EB%A9%94%EB%AA%A8%EB%A6%AC 플래시 메모리]〉, 《나무위키》
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* 맘여린v, 〈[https://amanan1004.tistory.com/27 NAND, NOR flash Memory에 대해 알아보자]〉, 《티스토리》, 2018-08-13
 
* 〈[https://namu.wiki/w/SLC SLC]〉, 《나무위키》
 
* 〈[https://namu.wiki/w/SLC SLC]〉, 《나무위키》
 
* Chris Mellor, 〈[https://blocksandfiles.com/2019/08/07/penta-level-cell-flash/ WD and Tosh talk up penta-level cell flash]〉, 《BLOCKS&FILES.》, 2019-08-07
 
* Chris Mellor, 〈[https://blocksandfiles.com/2019/08/07/penta-level-cell-flash/ WD and Tosh talk up penta-level cell flash]〉, 《BLOCKS&FILES.》, 2019-08-07

2021년 1월 18일 (월) 15:31 판

메모리카드(memory card) 또는 플래시 메모리 카드(flash memory card)는 디지털 카메라, 핸드헬드, 모바일 컴퓨터, 전화, 음악 플레이어, 게임기, 다른 전자 제품에 쓰이는 솔리드 스테이트 전자 플래시 메모리 기억 장치이다. 재기록의 품질이 높고, 전력이 없어도 저장이 되며(비휘발성), 폼 팩터가 작으며, 환경 규격이 엄격하다. 플래시 메모리를 사용하지 않는 "솔리드 스테이트" 성질이 아닌 메모리 카드도 있으며 다른 종류의 플래시 메모리도 존재한다.

개요

플래시 메모리는 메모리 칩 안에 정보를 유지시키는 데에 전력이 필요 없는 비휘발성 반도체 저장장치이다. 게다가 플래시 메모리는 읽기 속도가 빠르며(단, 개인용 컴퓨터에서 메인메모리로 쓰이는 DRAM만큼 빠르지는 않고, 순차읽기속도는 하드디스크가 더 빠를 수 있음) 하드 디스크 보다 충격에 강하다. 이러한 특징으로 배터리로 동작하는 장치에서 저장 장치로 많이 사용한다. 플래시 메모리의 또 다른 장점은 강한 압력이나 끓는 물에도 견딜 만큼, 물리적인 힘으로 거의 파괴되지 않는다는 점이다.[1]

역사

PC 카드(PCMCIA)는 최초의 상업용 메모리 카드 포맷으로 출시되었으나 지금은 산업 분야에서 모뎀과 같은 입출력 장치를 연결하는 용도로 주로 쓰인다. 1994년 이후로 PC 카드 보다 크기가 더 작은 수많은 메모리 카드 포맷이 등장하였으며, 최초의 것이 콤팩트플래시이고, 뒤에 스마트미디어와 미니어처 카드가 출시되었다. 휴대전화, PDA, 콤팩트 디지털 카메라에 더 작은 크기의 카드를 장착하기를 원하는 데에서 이전 세대의 "콤팩트" 카드들은 커 보였다. 2001년 SM은 단독으로 디지털 카메라 시장에서 50%를 장악했으며 CF는 전문 디지털 카메라 시장을 잠식했다. 그러나 2005년에 SD/MMC가 스마트미디어를 거의 따라잡았으나 콤팩트플래시뿐 아니라 메모리 스틱류와의 경쟁으로 이들 수준에까지 이르진 못했다. 산업과 임베디드 분야에서 PCMCIA 메모리 카드는 틈새 시장을 가까스로 유지하고 있는 반면, 휴대 전화와 PDA에서 메모리 카드의 크기는 더 작아졌다.

2010년 소니의 새로운 제품들(이전에는 메모리 스틱만 사용)과 올림푸스(이전에는 XD 카드만 사용)는 추가적인 SD 카드 슬롯과 함께 제공되고 있다. 포맷 전쟁 이후 SD카드를 선호하는 추세로 바뀌었다.[2]

동작 원리

플래시 메모리는 전통적으로 비트 정보를 저장하는 셀이라 부르는 플로팅 게이트 트랜지스터(floating gate transistors)로 구성된 배열 안에 정보를 저장한다. 요즘 등장하는 플래시 메모리의 경우는 하나의 셀에 존재하는 플로팅 게이트에 두 단계 보다 높은 전하를 저장하여 셀 하나에 1 비트 이상을 저장할 수 있기에 MLC(Multi Level Cell) 장치라고 일컫는다.

NOR 플래시가 게이트를 하나 대신 두 개를 갖고 있는 것을 제외하면, 각 셀이 표준 MOSFET과 비슷하다. 하나의 게이트는 또 다른 MOS 트랜지스터처럼 콘트롤 게이트(CG)이지만, 두 번째 게이트는 산화물 층(oxid layer)에 의해 모든 주위가 절연된 플로팅 게이트(FG)이다. FG는 CG와 기판 사이에 위치한다. FG가 산화물층에 의해 절연되었기 때문에 그 곳에 위치한 전자는 갇히게 되고 따라서 정보가 저장된다. 전자가 FG에 있을 때, CG에서 나오는 전기장에 영향을 주어 셀의 문턱 전압(Vt)이 변경된다. 이와 같이 CG에 특정 전압을 가하여 그 셀의 정보를 읽을 때, FG에 있는 전자의 수에 따라 Vt이 다르기 때문에 전류가 흐르거나 흐르지 않는다. 이러한 전류의 흐름과 차단이 판독되고 이는 1과 0으로 해석이 되어, 데이터가 저장되어 만들어진다. 한 셀에 1 비트 이상의 정보가 저장되는 MLC(Multi-level cell) 장치에서는 FG에 저장된 전자의 수를 측정하기 위해 단순히 전류의 흐름을 판단하기보다 그 양을 판독한다.

시장에 플래시 메모리가 출시되었을 때, 모든 셀의 상태는 1로 되어 있다. 이런 셀의 정보를 0으로 변경하는 것을 프로그래밍이라고 한다. NOR 플래시 메모리를 프로그래밍하기 위해 EPROM처럼 hot-electron injection 방식을 사용한다. 먼저, NOR 플래시 셀의 소스에서 드레인으로 전류가 흐를 때, CG에 큰 전압을 가하면 FG에 전자를 끌어들일 정도의 강한 전기장이 생성되어 결국 전류가 흐르지 않게 된다. 결국, 셀의 상태는 0이 된다. NOR 플래시 셀을 지우기 위해 (다시 프로그래밍하기 위한 준비로 모든 셀을 1로 다시 설정하는 것) CG와 소스 사이에 강한 전압차를 주면 Fowler-Nordheim tunneling을 통해 FG는 전자를 잃는다. 최근에 개발된 대부분의 NOR 플래시 메모리는 한 번에 지워진다. 그러나 프로그래밍은 바이트 또는 워드 단위로 수행된다.

NAND 플래시는 쓰기 작업을 위해서 터널 주입을 사용하고, 지우기 위해 터널 릴리즈를 사용한다. NAND 플래시 메모리는 USB 메모리 드라이브로 알려진 USB 인터페이스 저장 장치에서 쓰이고 있다.[1]

종류

게이트

플래시 메모리는 크게 나누어 NAND 타입과 NOR 타입 두 종류가 있다. 드 모르간 법칙 때문에 NAND 게이트나 NOR 게이트만으로도 모든 논리 게이트(logic gate)를 구현할 수 있다. 회로상으로 NAND 타입은 어드레스 라인이 블록 단위로 설치돼 있고 NOR 타입은 셀 단위로 설치돼 있다. NAND 타입이 블록 액세스만 가능한 이유가 이것 때문이다. 대신 배선 수를 NOR 타입보다 획기적으로 줄일 수 있어서 고밀도화가 가능해진다.[3]

NAND vs NOR - 셀 구조[4]
낸드플래시의 게이트
구분 NAND 타입 NOR타입
용도 USB 메모리, SSD 등 저장 매체 RAM처럼 실행 가능한 코드 저장
구조 직렬구조 병렬구조
읽기 랜덤 액세스이나 한 블록이 모두 동작함. 비교적 느림 셀 단위 랜덤 액세스. 빠름
쓰기 한 번에 한 블록을 통째로 기록하여 빠름 한 셀씩 기록하여 느림
밀도 고밀도 저밀도
가격(용량 대비) 저가 고가

NAND Flash

NOR Flash

저장방식

메모리 카드의 셀 특징에 따라 나눌 수 있다.

SLC

SLC(Single Level Cell)는 하나의 셀에 1비트의 데이터를 저장하는 방식이다. TCL보다 수명이 길고 읽기/쓰기 속도가 빠르다. 알려진 수명은 최대 100,000번 정도의 쓰기를 할 수 있다. 다른 종류들에 비해 압도적으로 빠르지만 매우 비싸다는게 단점이다.[5] 셀에 저장되는 비트 수는 0 또는 1 – 두 상태와 하나의 임계 전압을 의미한다.[6]

MLC

MLC(Multi Level Cell)는 하나의 셀에 2비트 이상의 데이터를 저장하는 방식이다. 엄밀히 말하면 3비트나 4비트 모두 MLC라고 부를 수 있지만, 3비트는 TLC, 4비트는 QLC 등으로 별도의 약자가 정착되어 보통 하나의 셀에 2비트의 데이터를 저장하는 방식을 뜻하게 되었다. 2비트 하나만을 뜻하는 약자는 DLC(Dual Level Cell)이었으나, 소프트웨어 다운로드 방식 판매를 뜻하는 DLC(DownLoadable Contents)와 겹쳐서 사장되었다. MLC 방식은 TCL 방식보다 상대적으로 수명이 길고 읽기/쓰기 속도가 쾌적하다. 알려진 수명은 최대 10000번 정도의 쓰기 가능이지만, 최근에는 공정의 미세화로 인해 절연체의 크기가 작아져서 ΜLC라고 할 지라도 3000~4000번정도의 쓰기만 가능하다.[7] 셀에 저장되는 비트 수는 00, 10, 01 또는 11 – 4 개 상태 및 3 개의 임계 전압을 의미한다.[6]

TLC

TLC(Triple Level Cell)는 하나의 셀에 3비트를 저장할 수 있는 일종의 낸드 플래시 메모리이다. TLC는 MLC-3라고도 한다. TLC 플래시의 일반적인 사용은 엔터프라이즈 및 소비자용 SSD, 디지털 카메라, 휴대폰의 스토리지 카드, USB 드라이브가 포함된다. TLC플래시는 일반적으로 SLC나 MLC 플래시보다 가격이 저렴하다.

낸드 플래시 제조업체는 메모리 셀이 칩에 수직으로 쌓이는 3D 낸드플래시와 함께 사용한다. 메모리 산업은 제조업체가 단일 에이어의 메모리 셀을 사용하는 2D 또는 평면 기술의 확장 한계에 도달함에 따라 3D 낸드플래시로 발전했다. 3D 낸드는 비트 당 더 낮은 비용으로 더 높은 저장 밀도를 가능하게 하고 플래시의 내구성을 향상시킨다.[8] 셀에 저장되는 비트 수는 000, 001, 010, 011, 100, 101, 110, 111 – 8 개 상태 및 따라서 7 개의 임계 전압을 의미한다.[6]

QLC

QLC(Quad Level Cell)는 하나의 셀에 4비트의 데이터를 저장하는 방식이다. TLC와 비교할 대 QLC의 저장 밀도는 각 셀이 4비트 데이터를 저장할 때 33% 증가하며, QLC의 쓰기 싸이클은 1000번에 도달할 수 있고 TLC의 가격보다 낮다. QLC의 장점은 쓰기 및 액세스가 다른 3가지 유형의 낸드 플래시 메모리보다 적은 수의 드라이버 소프트웨어로 처리할 수 있고, 더 많은 스토리지 용량과 높은 스토리지 밀도 및 저렴한 가격이다.[9] 셀에 저장되는 비트 수는 0000, 0001, 0010, 0011, 0100, 0101, 0110, 0111, 1000, 1001, 1010, 1011, 1100, 1101, 1110, 1111 – 16 개 상태이므로 15 개의 임계 전압을 의미한다.[6]

PLC

PLC(Penta Level Cells)는 하나의 셀에 5비트의 데이터를 저장하는 방식이다. PLC 셀은 QLC 셀보다 25% 더 많은 용량을 가지고 있다. 그러나 PLC 낸드의 내구성(읽기/쓰기주기)과 속도는 QLC 플래시의 속도보다 낮아 TLC 플래시의 속도보다 느리다. 셀에 저장되는 비트 수는 00000, 00001, 00010, 00011, 00100, 00101, 00110, 00111, 01000, 01001, 01010, 01011, 01100, 01101, 01110, 01111, 10000, 10001, 10010, 10011, 10100, 10101, 10110, 10111, 11000, 11001, 11010, 11011, 11100, 11101, 11110, 11111 – 32 개 상태 및 31 개의 임계 전압을 의미한다.[6]

OLC

OLC(Octa Level Cell)은 하나의 셀에 8비트의 데이터를 저장하는 방식이다.

비교

메모리카드의 종류의 비교
구분 SLC(Single Level Cell) MLC(Multi Level Cell) TLC(Triple Level Cell) QLC(Quad Level Cell) PLC(Penta Level Cells) OLC(Octa Level Cell)
용도 높은 저장 속도와 내구성 위주 적절한 속도, 내구성, 약간 낮은 용량 위주 용량과 속도, 내구성의 조화 대용량 위주 보급용 판촉용 또는 CD, 카세트 테이프 등 읽기 전용 매체 대체용
읽기 NOR에 비해 느림 SLC보다 느림 MLC보다 느림 TLC보다 느림 QLC보다 느림 PLC보다 느림
쓰기 단일 비트 저장으로 빠름 2비트 동시 기록으로 약간 빠름 3비트 동시 기록으로 느림 4비트 동시 기록으로 더 느림 5비트 동시 기록으로 매우 느림 8비트 동시 기록으로 매우 더 느림
수명 최대 약 10만 회 최대 약 3~1만 회 최대 약 1만~1천 회 최대 약 1천~1백 회 최대 약 1백 회 최대 약 10회 미만
가격(용량 대비) 초고가 고가 보통 저가 초저가 최저가

한계

플래시 메모리의 한계는 블록 내에서 특정 단위로 읽고 쓸 수 있지만, 블록 단위로 지워야 한다는 것이다. 또한 덮어 쓸 수 없으므로, 모든 블록을 지우기 전까지는 해당 자료를 변경할 수 없다.

NOR 플래시의 경우, 임의 접근 방식으로 바이트 또는 워드 단위로 읽기/쓰기 동작이 가능하지만 덮어 쓰기와 지우기 동작은 임의로 접근할 수 없다. NAND 플래시는 페이지 단위로 읽기/쓰기 동작이 가능하지만 해당 페이지를 덮어 쓰거나 지우려면 모든 블록을 지워야 한다.(NAND 플래시는 블록을 여러 페이지로 나누어 사용한다).

하드 디스크와 비교할 때, 더 큰 한계는 지우기 횟수가 제한되어 있다는 점이다. (대부분 상업적으로 쓰이는 플래시 메모리 제품의 경우 SLC는 십만 번, MLC는 삼천 번~일만 번, TLC는 일천 번까지 보증한다). 그래서 운영체제와 같이 하드 디스크를 기반으로 하는 응용 프로그램이 컴팩트 플래시와 같은 플래시 메모리 기반 장치를 사용할 때는 각별한 보호가 있어야 한다. 그래서 이러한 한계를 극복하기 위해 칩 펌웨어 또는 파일 시스템 드라이버에서 블록의 지우기 횟수를 세고 모든 블록이 고루 쓰이도록 블록을 유동적으로 다시 배치한다. 또한 쓰기 동작이 유효한지 확인하고, 전체 공간의 일부를 여유 블록으로 할당하여 불량 블록이 발생하면 여유 블록으로 대체하도록 한다.

플래시 메모리의 바이트 당 비용은 하드 디스크 드라이브에 견주어 상당히 높고 지우기 횟수가 제한된 상태여서 일반적으로 데스크톱 개인용 컴퓨터와 노트북에서 하드 디스크 대신 쓰지 못하고 있었다. 하드 디스크 대신 플래시 메모리로 제작된 솔리드 스테이트 드라이브 (SSD)가 특수 용도에 한해 사용되고 있었으나, 제조기술의 발달로 인한 가격 하락과 컨트롤러 개선, 적층 NAND 기술의 도입 및 용량 증가로 이러한 한계가 극복되면서 현재는 개인용 컴퓨터에서도 널리 사용되고 있다.[1]


각주

  1. ↑ 1.0 1.1 1.2 〈플래시 메모리〉, 《위키백과》
  2. ↑ 〈메모리카드〉, 《위키백과》
  3. ↑ 〈플래시 메모리〉, 《나무위키》
  4. ↑ 맘여린v, 〈NAND, NOR flash Memory에 대해 알아보자〉, 《티스토리》, 2018-08-13
  5. ↑ 〈SLC〉, 《나무위키》
  6. ↑ 6.0 6.1 6.2 6.3 6.4 Chris Mellor, 〈WD and Tosh talk up penta-level cell flash〉, 《BLOCKS&FILES.》, 2019-08-07
  7. ↑ 〈MLC〉, 《나무위키》
  8. ↑ Margaret Rouse, 〈TLC flash (triple-level cell flash)〉, 《TechTarget》, 2017-10
  9. ↑ 코고자 kogoza, 〈SSD의 NAND 플래시 QLC, SLC, MLC 및 TLC의 차이점〉, 《티스토리》, 2019-04-24

참고자료

같이 보기


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