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램(RAM)의 한 종류로 저장된 데이터가 시간과 전원의 끊김에 따라 소멸된다. 정보를 구성하는 개개의 비트를 각기 분리된 축전기(Capacitor)에 저장하고, 각각의 축전기가 담고 있는 전자의 수에 따라 비트의 1과 0을 나타내지만, 축전기에서 누설전류가 발생함에 따라 기억된 정보를 잃게 된다. 이를 방지하기 위해서 기억 장치의 내용을 주기적으로 저장해야 하기 때문에 동적(Dynamic) 램이라고 부르기도 한다. 전기 공급이 끊기면 정보가 지워지는 메모리기 때문에 휘발성 메모리에 해당한다.<ref name=“위키”>〈[https://ko.wikipedia.org/wiki/%EB%8F%99%EC%A0%81_%EB%9E%A8 동적 램]〉, 《위키백과》</ref> SRAM에 비해 속도가 느리고, SRAM은 비휘발성메모리임에도 불구하고, 가격이 저렴하고 구조가 단순하기 때문에 일반적으로 RAM이라고 이야기 할 때는 대부분 DRAM을 의미한다. 낮은 단가와 높은 집적도를 통해 시간이 지날수록 칩이 소형화되어, 기업의 입장에서는 DRAM을 쉽게 포기할 수 없어, 스마트폰, 태블릿, 노트북 등 대부분의 전자기기에서 사용되고 있다. 하나의 DRAM을 1셀이라고도 하며, 1셀은 1개의 트랜지스터(transistor)와 1개의 축전기(capacitor)로 구성되어 있다.<ref name=“디램”>affix, 〈[https://goroom.tistory.com/3 DRAM구조, 동작원리, 특징 - 메모리반도체]〉, 《네이버 블로그》, 2020-05-04</ref> DRAM의 성능을 높이기 위해서는 축전기의 방전 즉, 누설전류가 발생하는 것을 막아야 한다. 축전기의 특성에 따라 유전율이 높을수록, 두께가 얇을수록, 면적이 넓을수록 좋아진다. 따라서 High-k 물질을 사용하고, 3D 구조로 만들어 면적을 증가 시킨 뒤, 완성된 DRAM을 수직 방향으로 적층하여 TSV(Through via sillicon)로 DRAM의 성능을 향상시킬 수 있다.<ref>성공하는 그날까지! 성공으로 만들자, 〈[https://letsucceeed.tistory.com/116 DRAM 작동원리!]〉, 《티스토리》, 2020-06-08</ref>
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램(RAM)의 한 종류로 저장된 데이터가 시간과 전원의 끊김에 따라 소멸된다. 정보를 구성하는 개개의 비트를 각기 분리된 축전기(Capacitor)에 저장하고, 각각의 축전기가 담고 있는 전자의 수에 따라 비트의 1과 0을 나타내지만, 축전기에서 누설전류가 발생함에 따라 기억된 정보를 잃게 된다. 이를 방지하기 위해서 기억 장치의 내용을 주기적으로 저장해야 하기 때문에 동적(Dynamic) 램이라고 부르기도 한다. 전기 공급이 끊기면 정보가 지워지는 메모리기 때문에 휘발성 메모리에 해당한다.<ref name=“위키”>〈[https://ko.wikipedia.org/wiki/%EB%8F%99%EC%A0%81_%EB%9E%A8 동적 램]〉, 《위키백과》</ref> SRAM에 비해 속도가 느리고, SRAM은 비휘발성메모리임에도 불구하고, 가격이 저렴하고 구조가 단순하기 때문에 일반적으로 RAM이라고 이야기 할 때는 대부분 DRAM을 의미한다. 낮은 단가와 높은 집적도를 통해 시간이 지날수록 칩이 소형화되어, 기업의 입장에서는 DRAM을 쉽게 포기할 수 없어, 스마트폰, 태블릿, 노트북 등 대부분의 전자기기에서 사용되고 있다. <ref name=“디램”>affix, 〈[https://goroom.tistory.com/3 DRAM구조, 동작원리, 특징 - 메모리반도체]〉, 《네이버 블로그》, 2020-05-04</ref> DRAM의 성능을 높이기 위해서는 축전기의 방전 즉, 누설전류가 발생하는 것을 막아야 한다. 축전기의 특성에 따라 유전율이 높을수록, 두께가 얇을수록, 면적이 넓을수록 좋아진다. 따라서 High-k 물질을 사용하고, 3D 구조로 만들어 면적을 증가 시킨 뒤, 완성된 DRAM을 수직 방향으로 적층하여 TSV(Through via sillicon)로 DRAM의 성능을 향상시킬 수 있다.<ref>성공하는 그날까지! 성공으로 만들자, 〈[https://letsucceeed.tistory.com/116 DRAM 작동원리!]〉, 《티스토리》, 2020-06-08</ref>
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DRAM은 정보를 저장하는 방인 셀을 가지고 있는데, 1셀은 1개의 트랜지스터(transistor)와 1개의 축전기(capacitor)로 구성되어 있다. 트랜지스터 위에 축전기가 수직으로 세워져 있는 상태로, 축전기에 전하를 저장하여 전자의 유무에 따라 데이터를 저장한다. 낸드 플래시(NAND flash)가 셀을 수직으로 세워서 집적도를 높인 것과 달리 DRAM은 수직으로 세울 수 없기 때문에, 선폭을 작게 하여 직접도를 높이는 방법뿐이다. DRAM의 직접도를 높이기 위해 미세선폭을 사용하게 되고, 이에 따라 많은 메모리 공정 및 작동 이슈가 생긴다. 축전기에 누설 전류가 발생하면서, 데이터 저장에 차질이 생기게 되고, 이를 해결하기 위해 축전기의 전기 용량(capacitance)을 높이려는 시도를 하고 있다. 여기서 나온 공식이 바로 ‘C = EA/d’라는 공식으로 A(면적)를 넓게 해주고, d(거리)를 줄여주면 C가 늘어나게 되는데, 어느 순간부터 전자 터널링과 같은 문제가 발생하여 d를 줄일 수 없게 되어, A를 늘리는 방법 밖에 남지 않았다. 이렇게 만들어 진 것이 현재의 DRAM 구조로, 면적을 넓히기 위해, 평면구조가 아닌 것을 알 수 있다.<ref>반도체 바다, 〈[https://kiyong91.tistory.com/18 DRAM이란? DRAM에 대한 기본 지식!]〉, 《티스토리》, 2018-07-04</ref>
  
 
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DRAM에서 데이터를 읽는 방법은 쓰기 보다는 조금 더 복잡하고 어렵다. 시작은 쓰기와 마찬가지로 읽고자 하는 셀의 트랜지스터를 ‘ON’으로 만들기 위해, 워드 라인에서 high 신호를 인가시켜 준 뒤, 비트 라인에는 VDD/2를 인가시켜준다. 만약 DRAM의 데이터가 1 즉, 축전기에 VDD가 있는 상태라면 축전기에 있는 전하들이 비트 라인쪽으로 서서히 이동하면서 결국 VDD/2는 약간 증가하게 될 것이다. 이와 반대로, 축전기에 있는 데이터가 0이라면, 전하들이 축전기 쪽으로 이동하여 VDD/2는 약간 감소하게 될 것이다. 이렇게 발생한 비트 라인의 전위차를 감지 증폭기(sense amplifier)에서 비교하여 값을 증폭시키고, 해당 데이터가 0인지 1인지를 판단하여 읽어 들이게 된다.<ref name=“디램”></ref>‘
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DRAM에서 데이터를 읽는 방법은 쓰기 보다는 조금 더 복잡하고 어렵다. 시작은 쓰기와 마찬가지로 읽고자 하는 셀의 트랜지스터를 ‘ON’으로 만들기 위해, 워드 라인에서 high 신호를 인가시켜 준 뒤, 비트 라인에는 VDD/2를 인가시켜준다. 만약 DRAM의 데이터가 1 즉, 축전기에 VDD가 있는 상태라면 축전기에 있는 전하들이 비트 라인쪽으로 서서히 이동하면서 결국 VDD/2는 약간 증가하게 될 것이다. 이와 반대로, 축전기에 있는 데이터가 0이라면, 전하들이 축전기 쪽으로 이동하여 VDD/2는 약간 감소하게 될 것이다. 이렇게 발생한 비트 라인의 전위차를 감지 증폭기(sense amplifier)에서 비교하여 값을 증폭시키고, 해당 데이터가 0인지 1인지를 판단하여 읽어 들이게 된다.<ref name=“디램”></ref>
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==재충전==
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디램은 휘발성 메모리이기 때문에 주기적으로 재충전(refresh)을 해주어야 한다. 셀에 저장된 데이터를 잃어버리지 않을 정도의 시간을 Retention Time이라고 하고, 재충전하는 주기를 재충전 시간(Refresh Time, Tref)이라고 한다. 재충전 시간은 특정 셀을 재충전 한 후, 동일한 셀을 재충전 할 때까지 걸리는 시간 즉, 재충전 주기로, low or word line base로 동작하기 때문에 한 열을 동작 시킨 후, 그 열을 다시 동작시킬 때까지의 시간으로 이야기 할 수도 있다. 재충전 시간은 Retention time 보다 반드시 작아야 한다. 재충전 주기(Refresh Cycle, Refresh Cycle Time)는 메모리의 전체 셀들을 완전히 재충전하기 위해 필요한 주기를 의미한다. 읽거나 쓰지 않을 때, 재충전 시간 안에 모든 셀들이 한 번씩 재충전하기 위해서 재충전 시간 안에 모든 워드 라인이 동작해야한다. 총 n개의 워드 라인이 있다고 가정하면, 재충전 주기는 ‘재충전 시간/n’이 된다. 따라서 재충전 주기는 재충전 시간과 몇 개의 열을 가질 것인지 DRAM의 구조에 따라 결정된다.<ref>beahey, 〈[https://m.blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=beahey&logNo=90075526174&proxyReferer=https:%2F%2Fwww.google.com%2F DRAM refresh)]〉, 《네이버 블로그》, 2009-12-06</ref>
  
 
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===SDRAM===
 
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===DDR SDRAM===
 
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Fast Page Mode RAM<ref>치즈가 필요해!!, 〈[https://pbwizard.tistory.com/entry/SRAMDRAMFlash-memory%EC%9D%98-%EC%B0%A8%EC%9D%B4%EC%A0%90%EC%9D%80-%EB%AD%98%EA%B9%8C%EC%9A%94 SRAM,DRAM,Flash memory의 차이점은 뭘까요?)]〉, 《티스토리》, 2008-12-20</ref>
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==듀얼 인라인 메모리 모듈==
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듀얼 인라인 메모리 모듈(Dual In-line Memory Module, DIMM)
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==디램리스 SSD==
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디램리스 SSC(DRAMless SSD)란 DRAM이 없는 SSD(Solid State Drive)를 가리키는 말이다. DRAM은 SSD의 매핑 테이블을 저장하는 데 사용된다. 매핑 테이블은 특정 데이터가 어디에 저장되어 있는지를 나타내는 주소록으로, 컴퓨터가 SSD의 내부 데이터를 읽고 쓰기 위해서는 매핑 테이블을 무조건적으로 불러와야 한다. 디램리스 SSD는 SSD의 일부를 매핑 테이블로 사용한다. 매핑 테이블 자체의 용량은 실제 저장 공간의 1/1000 정도로, 크지는 않지만 데이터를 읽고 쓰기도 바쁜 SSD의 일부를 매핑 테이블로 활용하면 그만큼 성능이 하락할 수밖에 없지만 가격이 매우 저렴하다. 그렇지만 상당수의 디램리스 SSD는 HDD(Hard disk drive)보다도 느리기 때문에 가격만 보고 구입하는 것은 권장하지 않는다. 기본적으로 디램리스 SSD의 성능이 떨어지기는 하지만, 일부 제품들은 DRAM이 없는 대신, 컨트롤러 내부에 소량의 메모리를 넣어 자주 사용하는 데이터는 빨리 접근할 수 있도록 설계되었다. DRAM이 있는 SSD에 성능이 크게 떨어진다는 평을 받는 다른 디램리스 SSD와는 달리, 해당 제품들은 DRAM이 있는 SSD에 비해 저렴하고 가성비가 좋은 SSD로 평가 된다.<ref>yelobean, 〈[https://yelobean.tistory.com/44 디램리스 SSD란? 사도 될까?(DRAMLESS SSD)]〉, 《네이버 블로그》, 2019-03-14</ref>
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*affix, 〈[https://goroom.tistory.com/3 DRAM구조, 동작원리, 특징 - 메모리반도체]〉, 《네이버 블로그》, 2020-05-04
 
*affix, 〈[https://goroom.tistory.com/3 DRAM구조, 동작원리, 특징 - 메모리반도체]〉, 《네이버 블로그》, 2020-05-04
 
*성공하는 그날까지! 성공으로 만들자, 〈[https://letsucceeed.tistory.com/116 DRAM 작동원리!]〉, 《티스토리》, 2020-06-08
 
*성공하는 그날까지! 성공으로 만들자, 〈[https://letsucceeed.tistory.com/116 DRAM 작동원리!]〉, 《티스토리》, 2020-06-08
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*반도체 바다, 〈[https://kiyong91.tistory.com/18 DRAM이란? DRAM에 대한 기본 지식!]〉, 《티스토리》, 2018-07-04
 
*수리나라, 〈[https://m.blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=suji8646&logNo=221488529570&proxyReferer=https:%2F%2Fwww.google.com%2F 메모리 속도 향상방법]〉, 《네이버 블로그》, 2019-03-14
 
*수리나라, 〈[https://m.blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=suji8646&logNo=221488529570&proxyReferer=https:%2F%2Fwww.google.com%2F 메모리 속도 향상방법]〉, 《네이버 블로그》, 2019-03-14
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*beahey, 〈[https://m.blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=beahey&logNo=90075526174&proxyReferer=https:%2F%2Fwww.google.com%2F DRAM refresh)]〉, 《네이버 블로그》, 2009-12-06
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*치즈가 필요해!!, 〈[https://pbwizard.tistory.com/entry/SRAMDRAMFlash-memory%EC%9D%98-%EC%B0%A8%EC%9D%B4%EC%A0%90%EC%9D%80-%EB%AD%98%EA%B9%8C%EC%9A%94 SRAM,DRAM,Flash memory의 차이점은 뭘까요?)]〉, 《티스토리》, 2008-12-20
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*yelobean, 〈[https://yelobean.tistory.com/44 디램리스 SSD란? 사도 될까?(DRAMLESS SSD)]〉, 《네이버 블로그》, 2019-03-14
  
 
== 같이 보기 ==
 
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2021년 1월 28일 (목) 17:58 판

DRAM(Dynamic random access memory, 디램)이란 저장된 정보가 시간에 따라 소멸되기 때문에 주기적으로 재생시켜야 하는 특징을 가지고 있는 메모리를 뜻한다.

개요

램(RAM)의 한 종류로 저장된 데이터가 시간과 전원의 끊김에 따라 소멸된다. 정보를 구성하는 개개의 비트를 각기 분리된 축전기(Capacitor)에 저장하고, 각각의 축전기가 담고 있는 전자의 수에 따라 비트의 1과 0을 나타내지만, 축전기에서 누설전류가 발생함에 따라 기억된 정보를 잃게 된다. 이를 방지하기 위해서 기억 장치의 내용을 주기적으로 저장해야 하기 때문에 동적(Dynamic) 램이라고 부르기도 한다. 전기 공급이 끊기면 정보가 지워지는 메모리기 때문에 휘발성 메모리에 해당한다.[1] SRAM에 비해 속도가 느리고, SRAM은 비휘발성메모리임에도 불구하고, 가격이 저렴하고 구조가 단순하기 때문에 일반적으로 RAM이라고 이야기 할 때는 대부분 DRAM을 의미한다. 낮은 단가와 높은 집적도를 통해 시간이 지날수록 칩이 소형화되어, 기업의 입장에서는 DRAM을 쉽게 포기할 수 없어, 스마트폰, 태블릿, 노트북 등 대부분의 전자기기에서 사용되고 있다. [2] DRAM의 성능을 높이기 위해서는 축전기의 방전 즉, 누설전류가 발생하는 것을 막아야 한다. 축전기의 특성에 따라 유전율이 높을수록, 두께가 얇을수록, 면적이 넓을수록 좋아진다. 따라서 High-k 물질을 사용하고, 3D 구조로 만들어 면적을 증가 시킨 뒤, 완성된 DRAM을 수직 방향으로 적층하여 TSV(Through via sillicon)로 DRAM의 성능을 향상시킬 수 있다.[3]

구조

DRAM은 정보를 저장하는 방인 셀을 가지고 있는데, 1셀은 1개의 트랜지스터(transistor)와 1개의 축전기(capacitor)로 구성되어 있다. 트랜지스터 위에 축전기가 수직으로 세워져 있는 상태로, 축전기에 전하를 저장하여 전자의 유무에 따라 데이터를 저장한다. 낸드 플래시(NAND flash)가 셀을 수직으로 세워서 집적도를 높인 것과 달리 DRAM은 수직으로 세울 수 없기 때문에, 선폭을 작게 하여 직접도를 높이는 방법뿐이다. DRAM의 직접도를 높이기 위해 미세선폭을 사용하게 되고, 이에 따라 많은 메모리 공정 및 작동 이슈가 생긴다. 축전기에 누설 전류가 발생하면서, 데이터 저장에 차질이 생기게 되고, 이를 해결하기 위해 축전기의 전기 용량(capacitance)을 높이려는 시도를 하고 있다. 여기서 나온 공식이 바로 ‘C = EA/d’라는 공식으로 A(면적)를 넓게 해주고, d(거리)를 줄여주면 C가 늘어나게 되는데, 어느 순간부터 전자 터널링과 같은 문제가 발생하여 d를 줄일 수 없게 되어, A를 늘리는 방법 밖에 남지 않았다. 이렇게 만들어 진 것이 현재의 DRAM 구조로, 면적을 넓히기 위해, 평면구조가 아닌 것을 알 수 있다.[4]

속도

DRAM의 속도는 중앙 처리 장치(CPU)의 속도에 비해 떨어진다. DRAM의 속도는 접근 시간과 대기 시간에 의해서 결정되고, 접근시간으로 표시한다. Access Time은 입출력 명령을 받은 이후 얼마나 빠른 시간 내에 작업을 수행하는지를 말한다. 대기 시간은 0에 수렴할수록 DRAM의 전송 상태가 최적화 되어있다는 것을 나타낸다. DRAM은 크게 접근 시간, 순환 시간, 재충전 시간 세 단계로 동작한다. 램의 속도가 느려 중앙 처리 장치가 한 동안 기다려야 하는 경우가 발생하는데, 이 상태를 대기상태 라고 한다. 대기상태가 없다는 것은 메모리의 동작이 최적화 되어있다는 것을 뜻하는데, 이 상태를 제로웨이트 상태라고 한다. DRAM의 속도를 향상시키기 위해서는 페이지모드 기법을 사용할 수 있다. 페이지모드 기법은 페이지모드를 사용한다는 뜻으로, DRAM에서 페이지는 자료를 전송할 때 시간 간격을 두지 않고, 자료의 행과 열을 맞추어 자료를 읽고 쓰는 구조를 말한다. 따라서 DRAM에서 페이지모드 기법이란 한 글자씩 읽는 것이 아니라, 자료의 행과 열을 맞춘 뒤 한 페이지씩 읽고 쓰는 기술을 사용한다는 것이다.[5]

동작 원리

쓰기

DRAM에서 데이터를 쓰는 방법은 다음과 같다. 먼저 워드 라인(word line)에 high 신호를 인가하여 해당 셀의 트랜지스터를 ‘ON’ 상태로 만들어준 후, 비트 라인(bit line)에 쓰려고 하는 data 전압 값인 VDD 또는 0을 인가시켜준다. 조금 더 쉽게 말하면 비트 라인에 1 또는 0 값을 인가시키는 것을 의미한다. 만약 축전기에 전하가 쌓이면 데이터는 1이고, 축전기에 전하가 쌓이지 않았다면 데이터가 0이다. 이 상태를 저장하면 데이터가 DRAM에 저장되는 것이다. 워드 라인에 게이트 역할을 하는 것이기 때문에 low 신호가 입력될 경우, 트랜지스터나 축전기에 신호가 전달될 수 없다.

읽기

DRAM에서 데이터를 읽는 방법은 쓰기 보다는 조금 더 복잡하고 어렵다. 시작은 쓰기와 마찬가지로 읽고자 하는 셀의 트랜지스터를 ‘ON’으로 만들기 위해, 워드 라인에서 high 신호를 인가시켜 준 뒤, 비트 라인에는 VDD/2를 인가시켜준다. 만약 DRAM의 데이터가 1 즉, 축전기에 VDD가 있는 상태라면 축전기에 있는 전하들이 비트 라인쪽으로 서서히 이동하면서 결국 VDD/2는 약간 증가하게 될 것이다. 이와 반대로, 축전기에 있는 데이터가 0이라면, 전하들이 축전기 쪽으로 이동하여 VDD/2는 약간 감소하게 될 것이다. 이렇게 발생한 비트 라인의 전위차를 감지 증폭기(sense amplifier)에서 비교하여 값을 증폭시키고, 해당 데이터가 0인지 1인지를 판단하여 읽어 들이게 된다.[2]

재충전

디램은 휘발성 메모리이기 때문에 주기적으로 재충전(refresh)을 해주어야 한다. 셀에 저장된 데이터를 잃어버리지 않을 정도의 시간을 Retention Time이라고 하고, 재충전하는 주기를 재충전 시간(Refresh Time, Tref)이라고 한다. 재충전 시간은 특정 셀을 재충전 한 후, 동일한 셀을 재충전 할 때까지 걸리는 시간 즉, 재충전 주기로, low or word line base로 동작하기 때문에 한 열을 동작 시킨 후, 그 열을 다시 동작시킬 때까지의 시간으로 이야기 할 수도 있다. 재충전 시간은 Retention time 보다 반드시 작아야 한다. 재충전 주기(Refresh Cycle, Refresh Cycle Time)는 메모리의 전체 셀들을 완전히 재충전하기 위해 필요한 주기를 의미한다. 읽거나 쓰지 않을 때, 재충전 시간 안에 모든 셀들이 한 번씩 재충전하기 위해서 재충전 시간 안에 모든 워드 라인이 동작해야한다. 총 n개의 워드 라인이 있다고 가정하면, 재충전 주기는 ‘재충전 시간/n’이 된다. 따라서 재충전 주기는 재충전 시간과 몇 개의 열을 가질 것인지 DRAM의 구조에 따라 결정된다.[6]

종류

SDRAM

Synchronous DRAM

RDRAM

Rambus RAM

DDR SDRAM

FPM RAM

Fast Page Mode RAM[7]

듀얼 인라인 메모리 모듈

듀얼 인라인 메모리 모듈(Dual In-line Memory Module, DIMM)

디램리스 SSD

디램리스 SSC(DRAMless SSD)란 DRAM이 없는 SSD(Solid State Drive)를 가리키는 말이다. DRAM은 SSD의 매핑 테이블을 저장하는 데 사용된다. 매핑 테이블은 특정 데이터가 어디에 저장되어 있는지를 나타내는 주소록으로, 컴퓨터가 SSD의 내부 데이터를 읽고 쓰기 위해서는 매핑 테이블을 무조건적으로 불러와야 한다. 디램리스 SSD는 SSD의 일부를 매핑 테이블로 사용한다. 매핑 테이블 자체의 용량은 실제 저장 공간의 1/1000 정도로, 크지는 않지만 데이터를 읽고 쓰기도 바쁜 SSD의 일부를 매핑 테이블로 활용하면 그만큼 성능이 하락할 수밖에 없지만 가격이 매우 저렴하다. 그렇지만 상당수의 디램리스 SSD는 HDD(Hard disk drive)보다도 느리기 때문에 가격만 보고 구입하는 것은 권장하지 않는다. 기본적으로 디램리스 SSD의 성능이 떨어지기는 하지만, 일부 제품들은 DRAM이 없는 대신, 컨트롤러 내부에 소량의 메모리를 넣어 자주 사용하는 데이터는 빨리 접근할 수 있도록 설계되었다. DRAM이 있는 SSD에 성능이 크게 떨어진다는 평을 받는 다른 디램리스 SSD와는 달리, 해당 제품들은 DRAM이 있는 SSD에 비해 저렴하고 가성비가 좋은 SSD로 평가 된다.[8]

비교

SRAM

NAND Flash

각주

  1. ↑ 〈동적 램〉, 《위키백과》
  2. ↑ 2.0 2.1 affix, 〈DRAM구조, 동작원리, 특징 - 메모리반도체〉, 《네이버 블로그》, 2020-05-04
  3. ↑ 성공하는 그날까지! 성공으로 만들자, 〈DRAM 작동원리!〉, 《티스토리》, 2020-06-08
  4. ↑ 반도체 바다, 〈DRAM이란? DRAM에 대한 기본 지식!〉, 《티스토리》, 2018-07-04
  5. ↑ 수리나라, 〈메모리 속도 향상방법〉, 《네이버 블로그》, 2019-03-14
  6. ↑ beahey, 〈DRAM refresh)〉, 《네이버 블로그》, 2009-12-06
  7. ↑ 치즈가 필요해!!, 〈SRAM,DRAM,Flash memory의 차이점은 뭘까요?)〉, 《티스토리》, 2008-12-20
  8. ↑ yelobean, 〈디램리스 SSD란? 사도 될까?(DRAMLESS SSD)〉, 《네이버 블로그》, 2019-03-14

참고자료

같이 보기


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