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|내용2=[[1나노]] • [[2나노]] • [[7나노]] • [[9나노]] • [[AC테스트]] • [[DC테스트]] • [[EDS]] • [[ET테스트]] • [[EUV]] • [[PCB]] • [[WBI]] • [[간섭현상]] • [[감광액|감광액(포토레지스트)]] • [[건식산화]] • [[건식세정]] • [[건식식각]] • [[건조]] • [[고순도]] • [[공정 (제조)|공정]] • [[극자외선]] • [[금속배선]] • [[금속선]] • [[기능테스트]] • [[기판]] • [[나노미터]] • [[노광]] • [[노광장비]] • [[누설전류]] • [[다이아몬드 톱]] • [[도포 (제조)|도포]] • [[돌기]] • [[돌기부착]] • [[드라이아이스]] • [[레이저]] • [[리드프레임]] • [[몰딩]] • [[물리적 기상증착법|물리적 기상증착법(PVD)]] • [[미세공정]] • [[박막]] • [[반도체 공정]] • [[반도체 설계]] • [[반도체 제조]] • [[반도체 회로]] • [[방진]] • [[방진복]] • [[방진설비]] • [[배선]] • [[범프]] • [[베어웨이퍼]] • [[베어칩|베어칩(다이)]] • [[보호막]] • [[부식]] • [[분진|분진(에어로졸)]] • [[불량]] • [[불량품]] • [[불순물]] • [[불화수소]] • [[산화]] • [[산화공정]] • [[산화규소]] • [[산화막]] • [[선연결]] • [[세정]] • [[세정장비]] • [[소자분리]] • [[솔더볼]] • [[수선]] • [[수율]] • [[순도]] • [[습식산화]] • [[습식세정]] • [[습식식각]] • [[식각]] • [[식각장비]] • [[실리콘]] • [[실리콘 웨이퍼]] • [[아르곤 에어로졸]] • [[아우터리드]] • [[양품]] • [[연마]] • [[연마액]] • [[연마장비]] • [[열산화]] • [[열처리]] • [[온도테스트]] • [[와이어]] • [[와이어링 방식]] • [[웨이퍼]] • [[웨이퍼절단]] • [[이온]] • [[이온주입]] • [[잉곳]] • [[잉킹]] • [[자외선]] • [[잔류물]] • [[전공정]] • [[전기신호]] • [[전도]] • [[전도막]] • [[절연]] • [[절연막]] • [[정밀도]] • [[증착]] • [[증착장비]] • [[질화막]] • [[층|층(레이어)]] • [[칩접착]] • [[클린룸]] • [[테스트]] • [[파기]] • [[파이널테스트]] • [[파티클]] • [[테스터]] • [[패키지테스트]] • [[패키징]] • [[평탄도]] • [[평탄화]] • [[포장]] • [[포토마스크]] • [[표면연마]] • [[플라즈마 (물질)|플라즈마]] • [[플립칩 방식]] • [[현상액]] • [[화학적 기상증착법|화학적 기상증착법(CVD)]] • [[회로]] • [[회로층]] • [[회로패턴]] • [[후공정]]
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|내용2=[[1나노]] • [[2나노]] • [[7나노]] • [[9나노]] • [[AC테스트]] • [[DC테스트]] • [[EDS]] • [[ET테스트]] • [[EUV]] • [[OSAT]] • [[PCB]] • [[WBI]] • [[간섭현상]] • [[감광액|감광액(포토레지스트)]] • [[건식산화]] • [[건식세정]] • [[건식식각]] • [[건조]] • [[고순도]] • [[공정 (제조)|공정]] • [[극자외선]] • [[금속배선]] • [[금속선]] • [[기능테스트]] • [[기판]] • [[나노미터]] • [[노광]] • [[노광장비]] • [[누설전류]] • [[다이아몬드 톱]] • [[도포 (제조)|도포]] • [[돌기]] • [[돌기부착]] • [[드라이아이스]] • [[레이저]] • [[리드프레임]] • [[몰딩]] • [[물리적 기상증착법|물리적 기상증착법(PVD)]] • [[미세공정]] • [[박막]] • [[반도체 공정]] • [[반도체 설계]] • [[반도체 제조]] • [[반도체 회로]] • [[방진]] • [[방진복]] • [[방진설비]] • [[배선]] • [[범프]] • [[베어웨이퍼]] • [[베어칩|베어칩(다이)]] • [[보호막]] • [[부식]] • [[분진|분진(에어로졸)]] • [[불량]] • [[불량품]] • [[불순물]] • [[불화수소]] • [[산화]] • [[산화공정]] • [[산화규소]] • [[산화막]] • [[선연결]] • [[세정]] • [[세정장비]] • [[소자분리]] • [[솔더볼]] • [[수선]] • [[수율]] • [[순도]] • [[습식산화]] • [[습식세정]] • [[습식식각]] • [[식각]] • [[식각장비]] • [[실리콘]] • [[실리콘 웨이퍼]] • [[아르곤 에어로졸]] • [[아우터리드]] • [[양품]] • [[연마]] • [[연마액]] • [[연마장비]] • [[열산화]] • [[열처리]] • [[온도테스트]] • [[와이어]] • [[와이어링 방식]] • [[웨이퍼]] • [[웨이퍼절단]] • [[이온]] • [[이온주입]] • [[잉곳]] • [[잉킹]] • [[자외선]] • [[잔류물]] • [[전공정]] • [[전기신호]] • [[전도]] • [[전도막]] • [[절연]] • [[절연막]] • [[정밀도]] • [[증착]] • [[증착장비]] • [[질화막]] • [[층|층(레이어)]] • [[칩접착]] • [[클린룸]] • [[테스트]] • [[파기]] • [[파이널테스트]] • [[파티클]] • [[테스터]] • [[패키지테스트]] • [[패키징]] • [[평탄도]] • [[평탄화]] • [[포장]] • [[포토마스크]] • [[표면연마]] • [[플라즈마 (물질)|플라즈마]] • [[플립칩 방식]] • [[현상액]] • [[화학적 기상증착법|화학적 기상증착법(CVD)]] • [[회로]] • [[회로층]] • [[회로패턴]] • [[후공정]]
  
 
|항목3='''[[반도체 회사]]'''
 
|항목3='''[[반도체 회사]]'''
|내용3=[[ASML]] • [[SK하이닉스]] • [[TSMC]] • [[라피더스]] • [[마이크론]] • [[삼성전자㈜]] • [[엔비디아]] • [[인텔]] • [[퀄컴]]
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|내용3=[[AMD]] • [[ASML]] • [[SK하이닉스]] • [[SMIC]] • [[TSMC]] • [[UMC]] • [[글로벌파운드리스]] • [[라피더스]] • [[마이크론]] • [[미디어텍]] • [[브로드컴]] • [[삼성전자㈜]] • [[엔비디아|엔비디아(NVIDIA)]] • [[인텔]] • [[퀄컴]] • [[텍사스 인스트루먼트|텍사스 인스트루먼트(TI)]] • [[하이실리콘]] • [[화홍반도체|화홍반도체(화훙반도체)]]
  
 
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2024년 10월 2일 (수) 00:33 판