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건식세정

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sms1208 (토론 | 기여)님의 2024년 10월 16일 (수) 09:35 판 (→‎건식세정의 단점)
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건식세정(Dry etching)

건식세정(Dry cleaning)은 반도체 웨이퍼를 가공할 때 산화막을 제거하거나 원하는 패턴을 만들기 위해 반도체 웨이퍼 표면에 플라즈마(Plasma)나 이온(Ion) 빔을 이용하여 반응시켜 제거하는 방식이다. 주로 산화물, 질화물, 박막과 같은 반도체 웨이퍼의 표면에 생성된 층을 제거하는 데 사용된다. 이 방식은 높은 정밀도와 선택성을 갖추고 있으며, 고밀도 집적회로(IC) 등에서 많이 사용된다.

개요

습식세정은 여러 가지 장점을 가졌음에도 불구하고, 구조의 미세화가 심화되고 세정액이 과다하게 사용되는 등의 문제점이 있었다. 따라서 액체보다는 기체를 사용하는 건식세정이 점점 부각되어 왔다. 건식세정은 습식세정에 비해 투자비용이 많이 들고 장비 다루기가 복잡하며 세정 방식 또한 까다롭지만, 표면에 남아있는 PR, 산화막 등을 제거하는 데 탁월하다다. 세정방식은 과산화수소 계열의 습식에서 다변화하여 비과산화수소의 습식세정으로 발전하였고, 이를 더욱 다양화하여 초음파(습식+비습식 : 세정액 상태에서 초음파 공급)를 사용하거나 레이저, 드라이아이스, 자외선 혹은 최근에는 플라즈마를 사용하는 강력한 건식세정 방식으로 진화를 거듭하고 있다.

분류

건식 세정에는 Plasma 세정, UV-O3(오존) 세정, 기상(vapor) 세정이 있다.

  • 플라즈마를 이용한 방법에는 스퍼터링을 이용한 물리적 방법과 활성종을 이용한 화학적 방법이 있는데 강도를 조절해서 세정이 될 정도의 약하기로 진행한다.
  • UV-O3을 이용한 방법은 PR과 같은 유기물은 C(탄소, 카본)과 H(수소, 하이드로젠)으로 구성되어 있다.
  • UV를 쬐면 고분자 chain인 polymer가 끊어진.
  • 오존과 만나면 반응해서 CO2를 반응 부산물로 만들어내어 제거된다.
  • 기상 세정은 HF(불화수소) 액체를 증기로 만들어서 세정을 한다. 완전 dry는 아니다.

건식세정의 장점

건식세정 공정은 플라즈마를 이용해 웨이퍼 표면에 있는 파티클이나 오염 물질을 제거하는 방식이다. 건식세정 공정에는 다음과 같은 장점들이 있다.

  1. 건식 세정 공정은 상대적으로 공정 시간이 짧습니다. 습식 세정 공정과 다르게 물을 사용하지 않아 웨이퍼 건조 시간이 따로 필요로 하지 않는다. 그래서 시간을 효율적으로 사용할 수 있으며, 에너지 소비량이 상대적으로 낮을 수 있다는 장점이 있다.
  2. 화학 용액을 사용하지 않기 때문에 습식 세정 공정에 비해 폐기물이 적다.
  3. 건식 세정 공정은 공정을 낱장으로 진행하기 때문에, 웨이퍼 간의 동일한 공정 결과를 제공하고, 반복적으로 공정을 진행해도 일정한 결과를 얻을 수 있는 장점이 있다.
  4. HAR(High Aspect Ratio) 구조에 사용하기에 유리하다. Plasma를 이용하는 건식 세정 공정은 이방성이기 때문에, 미세한 패턴을 가진 소자를 세정하는데 용이하다.

건식세정의 단점

  1. 건식세정 공정은 공정을 낱장으로 진행하기 때문에, 웨이퍼 생산량이 저조할 수 있다. 이는 사용자의 기대 수익에 부정적인 영향을 미칠 수 있다.
  2. 건식세정 공정은 HAR 구조에 사용되기 때문에, 정밀한 제어를 해야 한다. 따라서, 최신 기술이 포함된 고가의 장비 사용해야 한다. 사용자 입장에서는 유지보수에 들어가는 금액이 많다.
  3. 중금속, 전이 금속 등이 제거가 어려운 단점이 있다. 제거를 위해 세부적이고 복잡한 공정 과정이 진행될 수 있다.
  4. 세정 공정의 장점은 극대화하고, 단점 발생을 방지하기 위해 반도체 산업에서는 노력이 필요하다. 센서, 로봇 기술의 고도화로 웨이퍼가 일정한 위치에 놓이도록 하여 웨이퍼 간의 일관성을 높이고, 공정 개발을 통해 웨이퍼에 손상 없이 세정 작업을 진행하도록 해야 합니다. 이러한 노력을 통해 반도체 소자의 품질을 향상할 수 있다.

참고자료

같이 보기


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