9나노 또는 9나노미터(9nm) 반도체 기술은 트랜지스터 게이트 길이가 약 9나노미터에 해당하는 기술 노드이다. 이는 매우 미세한 수준으로, 최신 반도체 제조 기술 중 하나이다. 그러나 9nm는 주로 특정 기업이나 제품에서 마케팅 용어로 사용되며, 실질적인 공정 기술로는 7nm나 10nm 등 더 일반적으로 알려진 노드들 사이에 위치하고 있다.
정의 및 개요
9나노미터는 나노미터 단위로 트랜지스터 게이트의 길이를 정의한 것으로, 실제 물리적 크기는 그보다 작을 수 있다. 반도체 기술에서는 이러한 크기를 줄여 칩에 더 많은 트랜지스터를 집적하고, 성능을 향상시키며, 전력 효율을 높이는 것이 중요하다.
9nm라는 용어는 기술적으로는 7nm 공정과 비슷하거나 약간 더 큰 노드를 의미할 수 있지만, 많은 경우에는 마케팅 용도로 사용되며 실제 물리적 크기보다는 공정 기술의 개선을 상징하는 용어로 쓰이기도 한다.
9nm 기술은 점점 더 작아지는 공정 기술의 중간 단계로 볼 수 있다. 7nm와 5nm 공정이 상용화됨에 따라, 9nm 기술은 더 이상 첨단 공정으로 간주되지는 않지만, 특정 응용 분야에서는 여전히 유효하게 사용될 수 있다.
9나노미터 기술의 특징
- 성능 및 에너지 효율
9nm 공정 기술은 전반적으로 성능을 개선하면서도 전력 소비를 줄이는 특징을 가진다. 이러한 기술은 스마트폰, 노트북, 데이터 센터에서 중요한 역할을 하며, 이전 세대의 반도체보다 더 높은 처리 성능을 제공한다.
- 집적도 증가
트랜지스터의 크기가 작아짐에 따라 하나의 칩에 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있어, 더 복잡한 연산이 가능해진다. 이는 고성능 컴퓨팅과 AI 작업을 수행하는 데 필수적이다.
응용 분야
9nm 반도체 기술은 주로 다음과 같은 분야에서 활용된다.
- 모바일 프로세서 : 스마트폰과 태블릿에서 더 긴 배터리 수명과 향상된 성능을 제공하는 데 사용된다. 최신 모바일 칩셋에서 9nm 기술이 적용되어 사용자 경험을 크게 향상시킨다.
- 데이터 센터 : 데이터 센터는 높은 성능과 효율성을 요구하는 환경으로, 9nm 기술은 이를 충족시키는 반도체로 사용된다. 에너지 소비를 줄이면서도 더 많은 데이터 처리를 가능하게 한다.
9나노 기술 등장
9나노미터(9nm) 공정은 기술적으로 독립적인 반도체 공정 노드로 개발되기보다는, 7나노미터(7nm)와 10나노미터(10nm) 사이의 기술적 발전 단계로 언급된다. 실제로, 9nm라는 용어는 주로 특정 제품이나 마케팅에서 사용되었으며, 일반적으로 7nm나 10nm처럼 명확한 기술 개발 시기를 갖고 있지 않다.
그러나 9nm는 [삼성전자]]와 같은 반도체 제조업체에서 10nm 공정의 개선판으로 도입되었다. 9nm 기술은 2017년경 삼성전자가 Exynos 9 시리즈의 일부 프로세서에 사용하면서 언급되었다. 이때 삼성은 10nm 공정보다 약간 더 미세한 공정을 통해 전력 소비와 성능을 최적화한 것으로 설명했다.
따라서 9nm 공정은 2017년경에 등장했으며, 주로 10nm 공정에서의 성능 개선과 에너지 효율 향상을 목표로 한 중간 단계의 기술로 볼 수 있다.
참고자료
같이 보기
이 9나노 문서는 반도체에 관한 글로서 검토가 필요합니다. 위키 문서는 누구든지 자유롭게 편집할 수 있습니다. [편집]을 눌러 문서 내용을 검토·수정해 주세요.
|
산업 : 산업, 산업혁명, 기술, 제조, 기계, 전자제품, 정보통신, 반도체 □■⊕, 화학, 바이오, 건설, 유통, 서비스, 에너지, 전기, 소재, 원소, 환경, 직업, 화폐, 금융, 금융사, 부동산, 부동산 거래, 부동산 정책, 아파트, 건물, 토지
|
|
반도체
|
AP • CCD • CIS • CPU • DDI • DDR • DDR SD램 • D램(DRAM) • DSP • EEP롬(EEPROM) • EP롬(EPROM) • GPU • HBM • IC카드 • IDM • LED • MCU • MPU • NAND • NOR • PMIC • RD램(RDRAM) • SD램(SDRAM) • SSD • S램(SRAM) • 개별소자 • 게이트 턴오프 사이리스터 • 계산기 • 광개별소자 • 광다이오드(포토다이오드) • 광전소자 • 광전자 • 광학반도체 • 그래픽 메모리 • 낸드메모리 • 노어메모리 • 다이오드 • 도체 • 디스플레이 • 디지털IC • 디지털 신호처리장치(DSP) • 램(RAM) • 로직IC • 롬(ROM) • 마이크로 컴포넌트 • 메모리 • 메모리 반도체 • 밀착형 이미지센서(CIS) • 반도체 • 반도체산업 • 반도체소자 • 부도체 • 비메모리 반도체 • 사이리스터 • 센서 • 소자 • 스트레처블 디스플레이 • 시스템 반도체 • 아날로그IC • 열복사 다이오드 • 이미지센서 • 인쇄회로기판(PCB) • 전자계산기 • 중앙처리장치(CPU) • 진공관 • 집적 • 집적도 • 집적회로(칩, IC) • 컴퓨터 • 트랜지스터 • 파운드리 • 팹 • 팹리스 • 플래시메모리
|
|
반도체 제조
|
1나노 • 2나노 • 7나노 • 9나노 • AC테스트 • DC테스트 • EDS • ET테스트 • EUV • GAA • OSAT • PCB • WBI • 간섭현상 • 감광액(포토레지스트) • 건식산화 • 건식세정 • 건식식각 • 건조 • 고순도 • 공정 • 극자외선 • 금속배선 • 금속선 • 기능테스트 • 기판 • 나노미터 • 노광 • 노광장비 • 누설전류 • 다이아몬드 톱 • 도포 • 돌기 • 돌기부착 • 드라이아이스 • 레이저 • 리드프레임 • 몰딩 • 물리적 기상증착법(PVD) • 미세공정 • 박막 • 반도체 공정 • 반도체 설계 • 반도체 제조 • 반도체 회로 • 방진 • 방진마스크 • 방진복 • 방진설비 • 배선 • 범프 • 베어웨이퍼 • 베어칩(다이) • 보호막 • 부식 • 분진(에어로졸) • 불량 • 불량품 • 불순물 • 불화수소 • 산화 • 산화공정 • 산화규소 • 산화막 • 선연결 • 세정 • 세정장비 • 소자분리 • 솔더볼 • 수선 • 수율 • 순도 • 습식산화 • 습식세정 • 습식식각 • 식각 • 식각장비 • 실리콘 • 실리콘 웨이퍼 • 아르곤 에어로졸 • 아우터리드 • 양품 • 연마 • 연마액 • 연마장비 • 열산화 • 열처리 • 온도테스트 • 와이어 • 와이어링 방식 • 웨이퍼 • 웨이퍼절단 • 이온 • 이온주입 • 잉곳 • 잉킹 • 자외선 • 잔류물 • 전공정 • 전기신호 • 전도 • 전도막 • 절연 • 절연막 • 정밀도 • 정확도 • 증착 • 증착장비 • 질화막 • 층(레이어) • 칩접착 • 클린룸 • 테스트 • 파기 • 파이널테스트 • 파티클 • 테스터 • 패키지테스트 • 패키징 • 편차 • 평탄도 • 평탄화 • 포장 • 포토리소그래피 • 포토마스크 • 표면연마 • 플라즈마 • 플립칩 방식 • 현상액 • 화학적 기상증착법(CVD) • 회로 • 회로층 • 회로패턴 • 후공정
|
|
반도체 회사
|
AMD • ASML • SK하이닉스㈜ • SMIC • TSMC • UMC • 글로벌파운드리스 • 라피더스 • 마이크론 • 미디어텍 • 브로드컴 • 삼성전자㈜ • 엔비디아(NVIDIA) • 우한신신 • 인텔 • 퀄컴 • 텍사스 인스트루먼트(TI) • 하이실리콘 • 화웨이 • 화홍반도체(화훙반도체)
|
|
위키 : 자동차, 교통, 지역, 지도, 산업, 기업, 단체, 업무, 생활, 쇼핑, 블록체인, 암호화폐, 인공지능, 개발, 인물, 행사, 일반
|
|