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'''RAM(Random Access Memory)'''이란 [[CPU]]와 [[HDD]] 사이에 또 다른 데이터 [[기억장치]]이며 CPU의 데이터 처리 속도와 보조를 해준다. [[프로그램]]이 실행되는 동안 필요한 정보를 저장하는 컴퓨터 [[메모리]]이며 전원이 꺼지면 내용이 모두 지워지는 ‘[[휘발성 메모리]]’이기 때문에 HDD처럼 (반)영구적으로 데이터를 보관은 할 수는 없다. 또한 RAM이란 저장된 데이터를 순차적이 아닌 임의의 순서에 따라 액세스할 수 있는 데이터 저장소이다.
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'''램'''('''RAM''')이란 Random Access Memory의 약자로서, 임의의 위치에 접근하여 [[데이터]]를 읽고 쓸 수 있는 컴퓨터 [[기억장치]]이다. '''주기억장치'''라고도 한다. 좁은 의미의 [[메모리]](memory)이다. 램은 [[하드디스크]](hard disk)와 달리 처리 속도가 매우 빠르지만, 전원이 꺼지면 저장된 정보가 모두 사라진다. [[반도체]]를 이용하여 만든다.
  
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== 개요 ==
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램은 컴퓨터 [[CPU]]와 [[하드디스크]] 사이에 존재하는 데이터 기억장치로서, CPU의 데이터 처리를 보조해 준다. 램은 [[프로그램]]이 실행되는 동안 필요한 정보를 임시 저장하는 메모리로서, 전원이 꺼지면 내용이 모두 지워지는 휘발성 메모리이기 때문에 하드디스크처럼 (반)영구적으로 데이터를 보관할 수는 없다.
  
=CPU와 HDD RAM 사이의 관계=
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== 특징 ==
대부분의 컴퓨터의 작업 과정을 보면, RAM은 HDD로부터 일정량의 데이터를 복사해서 임시로 저장한 후에 필요 할 때 마다 CPU에 빠르게 전달하는 역할을 한다. 이후 부터는 속도가 느린 HDD는 놔두고 CPU와 RAM끼리만 데이터를 교환하므로 대부분의 작업을 빠르게 처리할 있다. 이런 이유로, HDD가 단순히 데이터를 보관하는 역할에 비해서 RAM은 컴퓨터의 전박의 성능에 미치는 영향이 크다. 이러한 이유 때문에 RAM은 주기억 장치, HDD는 보조기억장치로 분류한다.
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램은 저장된 데이터를 순차적으로 접근하지 않고, 임의의 순서에 따라 액세스할 있는 데이터 저장소이다.
  
=종류=
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대부분의 컴퓨터의 작업 과정을 보면, 램은 하드디스크로부터 일정량의 데이터를 복사해서 임시로 저장한 후에 필요할 때마다 [[CPU]]에 빠르게 전달하는 역할을 한다. 이후부터는 속도가 느린 하다디스크는 사용하지 않고, [[CPU]]와 램(RAM)끼리만 데이터를 교환하므로 대부분의 작업을 빠르게 처리할 수 있다. 단순히 데이터를 보관하는 역할만 수행하는 하드디스크와 달리, 램은 컴퓨터의 성능에 미치는 영향이 크다. 이러한 이유 때문에 램(RAM)은 주기억 장치, 하드디스크(HDD)는 보조기억장치로 분류한다.
  
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== 종류 ==
  
===휘발성 메모리===
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=== 휘발성 메모리 ===
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* '''S램'''(Static RAM) : CPU 캐시로 사용되며, 데이터를 쓰고 지우는 속도가 무척 빠르고 안정적이다. D램과 달리 재생(refresh)이 필요 없다. 하지만 가격이 비싸다.
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* '''D램'''(Dynamic RAM) : D램은 데이터를 계속해서 가지고 있지 못하므로 주기적으로 재생(refresh)해야 한다. S램보다 가격이 싸다.
  
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=== 비휘발성 메모리 ===
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* '''플래시 메모리'''(flash memory) : 전원 공급이 중단되어도 저장된 정보를 그대로 보존하는 [[롬]](ROM)의 장점뿐 아니라 정보의 입출력이 자유롭다는 램(RAM)의 장점을 동시에 지니고 있는 메모리이다. 속도가 빠르고 전력 소모 또한 적다.
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* '''F램'''(Ferroelectric RAM) : 전원 공급이 중단되어도 기억된 정보가 그대로 남아 있고, 정보를 기록하고 제거하는 속도가 기존의 플래시 메모리보다 1,000배 이상 빠르다. 또한 소비전력이 적고, 반복 수명이 길어 "꿈의 기억소자"라고 불린다.
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* '''P램'''(Phase change RAM) : 특정 물질의 상(phase) 변화를 이용하여 데이터를 저장하는 차세대 메모리 반도체이다. 플래시 메모리보다 속도가 약 100(쓰기)~300(읽기)배 정도 더 빠르다. 85°C에서도 2년 이상 데이터를 보존할 수 있다. D램에 비해 전력 소모가 매우 적다.
  
'''s램(Static Ram)'''
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== 같이 보기 ==
CPU 캐시로 쓰는 이것은 D램과 달리 재생(refresh)이 필요 없다. 데이터를 쓰고 지우는 속도가 무척 빠르고 안정적이다. 하지만 값이 비싸다.
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* [[컴퓨터]]
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* [[CPU]]
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* [[GPU]]
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* [[메모리]]
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* [[롬]](ROM)
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* [[하드디스크]]
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* [[반도체]]
  
 
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{{컴퓨터|토막글}}
'''D램(Dynamic Ram)'''
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{{반도체}}
D램은 데이터를 계속해서 가지고 있지 못하므로 주기적으로 재생(refresh)해야한다. S램 보다 가격이 싸다.
 
 
 
 
 
===비휘발성 메모리===
 
 
 
 
 
'''플래시 메모리(Flash Memory)'''
 
전원 공급이 중단되어도 저장된 정보를 그대로 보존하는 ROM의 장점뿐 아니라 정보의 입출력이 자유롭다는 RAM의 장점을 동시에 지니고 있고 속도가 빠르고 전력 소모 또한 적다.
 
 
 
 
 
'''F램(Ferroelectric Ram)'''
 
전원 공급이 중단되어도 기억된 정보가 그대로 남아있고 정보를 기록하고 제거하는 속도가 기존의 프래시 메모리 보다 1000배 이상 빠르다 또한 소비전력이 적고, 반복 수명이 길어 “꿈의 기억소자”라고 불린다.
 
 
 
 
 
'''P램(Phase change Ram)'''
 
특정 물질의 상(phasa) 변화를 이용하여 데이터를 저장하는 차세대 메모리 반도체이다. 플래시 메모리보다 속도가 100(쓰기) ~ 300(읽기)빠르다 85‘C에서도 2년 이상 데이터를 보존할 수 있고 D램에 비해 전력 소모가 매우 적다.
 
 
 
=같이 보기=
 
*기억장치
 
*휘발성 메모리
 
*비휘발성 메모리
 
*CPU
 
*HDD
 
*플래시 메모리
 
 
 
[[분류: 컴퓨터 메모리]]
 

2024년 8월 18일 (일) 22:42 기준 최신판

램(RAM)

(RAM)이란 Random Access Memory의 약자로서, 임의의 위치에 접근하여 데이터를 읽고 쓸 수 있는 컴퓨터 기억장치이다. 주기억장치라고도 한다. 좁은 의미의 메모리(memory)이다. 램은 하드디스크(hard disk)와 달리 처리 속도가 매우 빠르지만, 전원이 꺼지면 저장된 정보가 모두 사라진다. 반도체를 이용하여 만든다.

개요[편집]

램은 컴퓨터 CPU하드디스크 사이에 존재하는 데이터 기억장치로서, CPU의 데이터 처리를 보조해 준다. 램은 프로그램이 실행되는 동안 필요한 정보를 임시 저장하는 메모리로서, 전원이 꺼지면 내용이 모두 지워지는 휘발성 메모리이기 때문에 하드디스크처럼 (반)영구적으로 데이터를 보관할 수는 없다.

특징[편집]

램은 저장된 데이터를 순차적으로 접근하지 않고, 임의의 순서에 따라 액세스할 수 있는 데이터 저장소이다.

대부분의 컴퓨터의 작업 과정을 보면, 램은 하드디스크로부터 일정량의 데이터를 복사해서 임시로 저장한 후에 필요할 때마다 CPU에 빠르게 전달하는 역할을 한다. 이후부터는 속도가 느린 하다디스크는 사용하지 않고, CPU와 램(RAM)끼리만 데이터를 교환하므로 대부분의 작업을 빠르게 처리할 수 있다. 단순히 데이터를 보관하는 역할만 수행하는 하드디스크와 달리, 램은 컴퓨터의 성능에 미치는 영향이 크다. 이러한 이유 때문에 램(RAM)은 주기억 장치, 하드디스크(HDD)는 보조기억장치로 분류한다.

종류[편집]

휘발성 메모리[편집]

  • S램(Static RAM) : CPU 캐시로 사용되며, 데이터를 쓰고 지우는 속도가 무척 빠르고 안정적이다. D램과 달리 재생(refresh)이 필요 없다. 하지만 가격이 비싸다.
  • D램(Dynamic RAM) : D램은 데이터를 계속해서 가지고 있지 못하므로 주기적으로 재생(refresh)해야 한다. S램보다 가격이 싸다.

비휘발성 메모리[편집]

  • 플래시 메모리(flash memory) : 전원 공급이 중단되어도 저장된 정보를 그대로 보존하는 (ROM)의 장점뿐 아니라 정보의 입출력이 자유롭다는 램(RAM)의 장점을 동시에 지니고 있는 메모리이다. 속도가 빠르고 전력 소모 또한 적다.
  • F램(Ferroelectric RAM) : 전원 공급이 중단되어도 기억된 정보가 그대로 남아 있고, 정보를 기록하고 제거하는 속도가 기존의 플래시 메모리보다 1,000배 이상 빠르다. 또한 소비전력이 적고, 반복 수명이 길어 "꿈의 기억소자"라고 불린다.
  • P램(Phase change RAM) : 특정 물질의 상(phase) 변화를 이용하여 데이터를 저장하는 차세대 메모리 반도체이다. 플래시 메모리보다 속도가 약 100(쓰기)~300(읽기)배 정도 더 빠르다. 85°C에서도 2년 이상 데이터를 보존할 수 있다. D램에 비해 전력 소모가 매우 적다.

같이 보기[편집]


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